参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSO615CGHUMA1
说明	通用MOSFET   DSO PG-DSO-8 PG-DSO-8
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-06]
封装/外壳	DSO
FET类型	N+P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	3.1A/2A
FET类型	N+P-Channel
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	3.1A,2A
Rds On(Max)@Id,Vgs	110 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	380pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-DSO-8
封装/外壳	PG-DSO-8