| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | BSO615C G |
| 说明 | 功率MOSFET 4.9mm |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 394 [库存更新时间：2025-04-16] |
| 通道数量 | 2Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 3.1A,2A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 70mΩ,190mΩ |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| Qg-栅极电荷 | 22.5nC,20nC |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W |
| 高度 | 1.75mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 系列 | BSO615 |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 宽度 | 3.9mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 2.25S,1.2S |
| 下降时间 | 18ns,90ns |
| 上升时间 | 75ns,105ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25ns,125ns |
| 典型接通延迟时间 | 16ns,24ns |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
IC普拉斯 元器件现货
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productsBSO615C G
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