参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | BSO201SPHXUMA1 |
说明 | 通用MOSFET PG-DSO-8 DSO PG-DSO-8 |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 174 [库存更新时间:2024-06-08] |
系列 | OptiMOS™ |
FET类型 | P-Channel |
连续漏极电流Id | 12A(Ta) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 88nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 9600pF @ 15V |
栅极电压Vgs | ±12V |
Pd-功率耗散(Max) | 1.6W(Ta) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8m Ohms@14.9A,4.5V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | PG-DSO-8 |
封装/外壳 | DSO |
FET类型 | P-Channel |
漏源极电压Vds | 20V |
连续漏极电流Id | 14.9A |
漏源极电压Vds | 20V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 88nC |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 9600pF |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 15V |
封装/外壳 | PG-DSO-8 |