参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSC0909NSATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TDSON-8 TDSON PG-TDSON-8
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	174 [库存更新时间：2024-06-01]
系列	OptiMOS™
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	12A(Ta),44A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1110pF @ 15V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),27W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.2m Ohms@20A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TDSON-8
封装/外壳	TDSON
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	34V
连续漏极电流Id	12A
漏源极电压Vds	34V
封装/外壳	PG-TDSON-8
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V