参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSC010NE2LSATMA1
说明	通用MOSFET   TDSON PG-TDSON-8 PG-TDSON-8
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	176 [库存更新时间：2025-04-03]
封装/外壳	TDSON
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	39A
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	39A(Ta),100A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	64nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4700pF @ 12V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),96W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1 毫欧 @ 30A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TDSON-8
封装/外壳	PG-TDSON-8