参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSO200P03SHXUMA1
说明	通用MOSFET   PG-DSO-8 PG-DSO-8 DSO 5x4x1.65mm 5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	7.4A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	54nC @ 10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2330pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	1.56W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	20 毫欧 @ 9.1A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-DSO-8
封装/外壳	PG-DSO-8
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	7.4 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	20 m0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-25 V、+25 V
封装/外壳	DSO
晶体管配置	单
引脚数目	8
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	1.56W
高度	1.65mm
封装/外壳	5 x 4 x 1.65mm
系列	OptiMOS P
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1750 pF @ -25 V
典型关断延迟时间	42 ns
典型接通延迟时间	10 ns
宽度	4mm
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C
长度	5mm