参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSO080P03NS3GXUMA1
说明	功率MOSFET   8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2
最小包	2
现货	384 [库存更新时间：2024-04-27]
25°C时电流-连续漏极(Id)	12A(Ta)
FET类型	P 通道
Vgs(最大值)	±25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	8 毫欧 @ 14.8A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	3.1V @ 150uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	6750pF @ 15V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	81nC @ 10V
功率耗散(最大值)	1.6W(Ta)
封装/外壳	8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	6V,10V