参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSL308PEH6327XTSA1
说明	通用MOSFET   PG-TSOP6-6 PG-TSOP6-6 TSOP 2.9mm 2.9x1.6x1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	2 个 P 沟道(双)
FET类型	逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	2A
Rds On(Max)@Id,Vgs	80 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 11µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	500pF @ 15V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TSOP6-6
封装/外壳	PG-TSOP6-6
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	2 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	130 m0hms
栅极电压Vgs	1V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TSOP
引脚数目	6
晶体管配置	隔离式
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
宽度	1.60mm
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C
正向二极管电压	1.1V
每片芯片元件数目	2
长度	2.9mm
高度	1mm
系列	OptiMOS P
封装/外壳	2.9 x 1.6 x 1mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	376 pF @ -15 V
典型关断延迟时间	15.3 ns
典型接通延迟时间	5.6 ns
正向跨导	4.6S