参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSC084P03NS3EGATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TDSON-8 PG-TDSON-8
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	14.9A(Ta),78.6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	57.7nC @ 10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4240pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),69W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.4 毫欧 @ 50A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TDSON-8
封装/外壳	PG-TDSON-8