参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSB056N10NN3GXUMA1
说明	通用MOSFET   MG-WDSON-2,CanPAKM™ MG-WDSON-2 WDSON 6.35mm 6.35x5.05x0.53mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2024-10-22]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	9A(Ta),83A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	74nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5500pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max)	2.8W(Ta),78W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.6 毫欧 @ 30A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	MG-WDSON-2,CanPAK M™
封装/外壳	MG-WDSON-2
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	50V
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	83 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.0081 0hms
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	WDSON
晶体管配置	单
引脚数目	7
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	78W
长度	6.35mm
最低工作温度	-40 °C
高度	0.53mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	6.35 x 5.05 x 0.53mm
宽度	5.05mm
系列	OptiMOS
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	5500 pF @ 50 V
典型关断延迟时间	25 ns
典型接通延迟时间	15 ns
正向跨导	69S
最高工作温度	+150 °C
正向二极管电压	1.2V