参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSB028N06NN3GXUMA1
说明	通用MOSFET   MG-WDSON-2 WDSON MG-WDSON-2,CanPAKM™
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	176 [库存更新时间：2025-04-03]
系列	OptiMOS™
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	22A(Ta),90A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 102µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	143nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	12000pF @ 30V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.2W(Ta),78W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.8m Ohms@30A,10V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳	MG-WDSON-2
封装/外壳	WDSON
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	22A
漏源极电压Vds	60V
封装/外壳	MG-WDSON-2,CanPAK M™