参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSB012NE2LXIXUMA1
说明	功率MOSFET   3-WDSON
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2024-04-19]
25°C时电流-连续漏极(Id)	170A(Tc)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	1.2 毫欧 @ 30A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	2V @ 250uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	5852pF @ 12V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	82nC @ 10V
功率耗散(最大值)	2.8W(Ta),57W(Tc)
封装/外壳	3-WDSON
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	25V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	4.5V,10V