| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | RF晶体管 |
| 型号编码 | BFR843EL3E6327XTSA1 |
| 说明 | RF晶体管 TSLP-3-10 TSLP-3-10 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 290 [库存更新时间:2025-11-24] |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TSLP-3-10 |
| FET类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 2.6V |
| 增益 | 25.5dB |
| 功率 | 1/8W |
| 电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 55mA |
| 封装/外壳 | TSLP-3-10 |


| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | RF晶体管 |
| 型号编码 | BFR843EL3E6327XTSA1 |
| 说明 | RF晶体管 TSLP-3-10 TSLP-3-10 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 290 [库存更新时间:2025-11-24] |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TSLP-3-10 |
| FET类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 2.6V |
| 增益 | 25.5dB |
| 功率 | 1/8W |
| 电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 55mA |
| 封装/外壳 | TSLP-3-10 |