参数	值
产品	达林顿晶体管
型号编码	BCV49H6327XTSA1
说明	达林顿晶体管   SOT89 SOT-89-3 SOT-89 4.50mm 4.5x2.5x1.5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	NPN - 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	60V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	1V @ 100µA,100mA
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	10000 @ 100mA,5V
功率	1W
频率 - 跃迁	150MHz
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	SOT89
封装/外壳	SOT-89-3
FET类型	NPN
最大连续集电极电流	500 mA
最大集电极-发射极电压	60 V
最大发射极-基极电压	10 V
封装/外壳	SOT-89
引脚数目	3
晶体管配置	单
每片芯片元件数目	1 Ohms
最小直流电流增益	2000
最大基极-发射极饱和电压	1.5 V
最大集电极-基极电压	80 V
最大集电极-发射极饱和电压	1 V
最大集电极-基极截止电流	10µA
宽度	2.5mm
功率	1W
最高工作温度	+150 °C
长度	4.50mm
高度	1.50mm
基电流	100mA
封装/外壳	4.5 x 2.5 x 1.5mm