| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | APTM100A13SG |
| 说明 | 通用MOSFET SP6 SP-6 |
| 品牌 | Microsemi(美高森美) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 959 [库存更新时间：2025-04-02] |
| FET类型 | 2N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 1KV |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 156m Ohms@32.5A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 6mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 562nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 15200pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1250W |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SP6 |
| 封装/外壳 | SP-6 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 1000V |
| 连续漏极电流Id | 65A |
IC普拉斯 元器件现货
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