| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | APTC60DSKM24T3G |
| 说明 | 通用MOSFET SP3 SP-3 |
| 品牌 | Microsemi(美高森美) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 139 [库存更新时间：2025-04-03] |
| 系列 | CoolMOS™ |
| FET类型 | 2N沟道(双路降压斩波器) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24m Ohms@47.5A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3.9V @ 5mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 300nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 14400pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 462W |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SP3 |
| 封装/外壳 | SP-3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 连续漏极电流Id | 95A |
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