参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AOY423 |
说明 | 功率MOSFET TO-251B |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 263 [库存更新时间:2025-04-06] |
封装/外壳 | TO-251B |
FET类型 | P-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | -30V |
栅极电压Vgs | 25V |
连续漏极电流Id | -70A |
Pd-功率耗散(Max) | 90W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.5mΩ@10V |
VGS(th) | -3.5 |
Ciss(pF) | 2760 |
Coss(pF) | 550 |
Crss(pF) | 375 |
Qg*(nC) | 45* |
Qgd(nC) | 12 |
Td(on)(ns) | 13 |
Td(off)(ns) | 35 |
Trr(ns) | 15 |
Qrr(nC) | 30 |