参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	AOW66412
说明	功率MOSFET   TO-262
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	263 [库存更新时间：2025-04-06]
封装/外壳	TO-262
FET类型	N-Channel
ESD Diode	No
Schottky Diode	No
漏源极电压Vds	40V
栅极电压Vgs	20V
连续漏极电流Id	120A
Pd-功率耗散(Max)	260W
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.9mΩ@10V
Rds On(Max)@4.5V	2.5mΩ
VGS(th)	2.3
Ciss(pF)	8320
Coss(pF)	1438
Crss(pF)	85
Qg*(nC)	45
Qgd(nC)	7
Trr(ns)	26
Qrr(nC)	83