型号参数与资料
- 型号
- AOW2502
- 品牌
- AOS(万国半导体)
- 类别
- 功率MOSFET
| 封装/外壳 | TO-262 |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| ESD Diode | No |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | 150V |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| 连续漏极电流Id | 106A |
| Pd-功率耗散(Max) | 277W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.7mΩ@10V |
| VGS(th) | 5.1 Ohms |
| Ciss(pF) | 3010 |
| Coss(pF) | 345 |
| Crss(pF) | 14 |
| Qg*(nC) | 43* |
| Qgd(nC) | 10 |
| Td(on)(ns) | 19 |
| Td(off)(ns) | 30 |
| Trr(ns) | 75 |
| Qrr(nC) | 880 |
功率MOSFET TO-262
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。