参数	值
产品	未分类
型号编码	AOW418
说明	未分类   TO-262 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA TO262
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2376 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	9.5A(Ta),105A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	7V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	83nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5200pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	50V
功率	2.1W(Ta),333W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	10 毫欧 @ 20A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-262
封装/外壳	TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
安装	THT
封装/外壳	TO262
开启状态电阻	10m Ohms
FET类型	N-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±25V
漏极-源极电压	100V
漏极电流	82A
耗电	167W