参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AOW292 |
说明 | 功率MOSFET TO-262 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 1000 |
最小包 | 1000 |
现货 | 2376 [库存更新时间:2025-04-02] |
封装/外壳 | TO-262 |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 100V |
栅极电压Vgs | 20V |
连续漏极电流Id | 105A |
Pd-功率耗散(Max) | 300W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.1mΩ@10V |
Rds On(Max)@4.5V | 4.9mΩ |
VGS(th) | 3.4 |
Ciss(pF) | 6775 |
Coss(pF) | 557 |
Crss(pF) | 32 |
Qg*(nC) | 90* |
Qgd(nC) | 13.5 |
Td(on)(ns) | 20 |
Td(off)(ns) | 48 |
Trr(ns) | 50 |
Qrr(nC) | 380 |