参数	值
产品	未分类
型号编码	AOW298
说明	未分类   TO-262 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA TO262
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2376 [库存更新时间：2025-04-19]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	9A(Ta),58A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	27nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1670pF @ 50V
功率	2.1W(Ta),100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	14.5 毫欧 @ 20A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-262
封装/外壳	TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
安装	THT
封装/外壳	TO262
开启状态电阻	14.5m Ohms
FET类型	N-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±20V
漏极-源极电压	100V
漏极电流	41A
耗电	50W