AOW2918

AOS(万国半导体) · 未分类

型号参数与资料

型号
AOW2918
品牌
AOS(万国半导体)
类别
未分类
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds100V
连续漏极电流Id13A(Ta),90A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)53nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3430pF @ 50V
功率2.1W(Ta),267W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs7 毫欧 @ 20A,10V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳TO-262
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
安装THT
封装/外壳TO262
开启状态电阻7m Ohms
FET类型N-MOSFET
极化单极
栅极-源极电压±20V
漏极-源极电压100V
漏极电流70A
耗电133W

未分类   TO-262 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA TO262

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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