参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AOT7N60 |
说明 | 功率MOSFET TO-220 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 50 |
最小包 | 50 |
现货 | 401 [库存更新时间:2025-04-02] |
封装/外壳 | TO-220 |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 600V |
栅极电压Vgs | 30V |
连续漏极电流Id | 7A |
Pd-功率耗散(Max) | 192W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1200mΩ@10V |
VGS(th) | 4.5 |
Ciss(pF) | 861 |
Coss(pF) | 84 |
Crss(pF) | 6.6 |
Qg*(nC) | 23 |
Qgd(nC) | 11.2 |
Td(on)(ns) | 25 |
Td(off)(ns) | 51.5 |
Trr(ns) | 255 |
Qrr(nC) | 2600 |