参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	AO9926B
说明	功率MOSFET   SO-8
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	1
最小包	3000
现货	6302 [库存更新时间：2024-05-22]
封装/外壳	SO-8
FET类型	N-Channel
ESD Diode	No
Schottky Diode	No
漏源极电压Vds	20V
栅极电压Vgs	12V
连续漏极电流Id	7.6A
Pd-功率耗散(Max)	2W
Rds On(Max)@Id,Vgs	23mΩ@10V
Rds On(Max)@4.5V	26mΩ
Rds On(Max)@2.5V	34mΩ
Rds On(Max)@1.8V	52mΩ
VGS(th)	1.1
Ciss(pF)	525
Coss(pF)	95
Crss(pF)	75
Qg*(nC)	6
Qgd(nC)	2
Td(on)(ns)	3
Td(off)(ns)	20
Trr(ns)	14
Qrr(nC)	6