参数	值
产品	未分类
型号编码	AOC2411
说明	未分类   4-WLCSP(1.6x1.6) 4-uFBGA,WLCSP DFN4
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6376 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	3.4A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1630pF @ 15V
功率	800mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	45 毫欧 @ 1A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	4-WLCSP(1.6x1.6)
封装/外壳	4-uFBGA,WLCSP
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
安装	SMD
封装/外壳	DFN4
开启状态电阻	60m Ohms
FET类型	P-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±12V
漏极-源极电压	-30V
漏极电流	-3.4A
耗电	0.8W