型号参数与资料
- 型号
- AOC2423
- 品牌
- AOS(万国半导体)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | P-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 2A(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±12V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 470pF @ 10V |
| 功率 | 600mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 80 毫欧 @ 1A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 4-AlphaDFN(0.97x0.97) |
| 封装/外壳 | 4-SMD,无引线 |
| 安装 | SMD |
| 封装/外壳 | DFN4 |
| 开启状态电阻 | 120m Ohms |
| FET类型 | P-MOSFET |
| 极化 | 单极 |
| 栅极-源极电压 | ±12V |
| 漏极-源极电压 | -20V |
| 漏极电流 | -2A |
| 耗电 | 0.6W |
未分类 4-AlphaDFN(0.97x0.97) 4-SMD,无引线 DFN4
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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