| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | AO4449 |
| 说明 | 功率MOSFET SO-8 |
| 品牌 | AOS(万国半导体) |
| 起订量 | 3000 |
| 最小包 | 3000 |
| 现货 | 6376 [库存更新时间：2025-04-09] |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| FET类型 | P-Channel |
| ESD Diode | No |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | -30V |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| 连续漏极电流Id | -7A |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 34mΩ@10V |
| Rds On(Max)@4.5V | 54mΩ |
| VGS(th) | -2.4 |
| Ciss(pF) | 760 |
| Coss(pF) | 140 |
| Crss(pF) | 95 |
| Qg*(nC) | 6.7 |
| Qgd(nC) | 3.2 |
| Td(on)(ns) | 8 |
| Td(off)(ns) | 17 |
| Trr(ns) | 15 |
| Qrr(nC) | 9.7 |
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