参数	值
产品	未分类
型号编码	AO4437
说明	未分类   8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SO8
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6376 [库存更新时间：2024-05-19]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	11A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	47nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4750pF @ 6V
功率	3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	16 毫欧 @ 11A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
半导体设备特性	ESD protected gate
安装	SMD
封装/外壳	SO8
开启状态电阻	20m Ohms
FET类型	P-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±8V
漏极-源极电压	-12V
漏极电流	-9A
耗电	2.1W