参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AO4441 |
说明 | 功率MOSFET SO-8 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6376 [库存更新时间:2025-04-08] |
封装/外壳 | SO-8 |
FET类型 | P-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | -60V |
栅极电压Vgs | 20V |
连续漏极电流Id | -4A |
Pd-功率耗散(Max) | 3.1W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@10V |
Rds On(Max)@4.5V | 130mΩ |
VGS(th) | -3 |
Ciss(pF) | 930 |
Coss(pF) | 85 |
Crss(pF) | 35 |
Qg*(nC) | 8 |
Qgd(nC) | 3.2 |
Td(on)(ns) | 8 |
Td(off)(ns) | 31.5 |
Trr(ns) | 27 |
Qrr(nC) | 32 |