| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | 2N7002ET3G |
| 说明 | 未分类 SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 品牌 | ON(安森美) |
| 起订量 | 20000 |
| 最小包 | 20000 |
| 现货 | 40176 [库存更新时间:2025-11-20] |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 下降时间 | 1.2 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 4.8 ns |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 漏源极电压Vds | ± 20 V |
| 连续漏极电流Id | 0.26 A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2500 m0hms |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 260mA(Ta) |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.81nC @ 5V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 26.7pF @ 25V |
| 功率 | 300mW(Tj) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.5 欧姆 @ 240mA,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236) |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |


