参数	值
产品	未分类
型号编码	2N7000G
说明	未分类   TO-92-3 TO-226-3,TO-92-3标准主体(!--TO-226AA)
品牌	ON(安森美)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8176 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	200mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 1mA
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	60pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
功率	350mW(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	5Ω@500mA,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-92-3
封装/外壳	TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)