IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用薄膜电容 | 333MSR102K | ILLINOIS CAPACITOR | 封装/外壳:径向 容值:33nF 偏差:±10% 电压:1KV |
| 通用薄膜电容 | 334MMR630K | ILLINOIS CAPACITOR | 封装/外壳:径向 容值:330nF 偏差:±10% 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | 474MPR250K | ILLINOIS CAPACITOR | 封装/外壳:径向 容值:470nF 偏差:±10% 电压:250V |
| 通用薄膜电容 | 473MWR630K | ILLINOIS CAPACITOR | 封装/外壳:轴向 容值:47nF 偏差:±10% 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | 474MPW630K | ILLINOIS CAPACITOR | 封装/外壳:轴向 容值:470nF 偏差:±10% 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | 473MKP275KD | ILLINOIS CAPACITOR | 偏差:±10% 封装/外壳:径向 容值:47nF |
| 通用薄膜电容 | 474MSR100K | ILLINOIS CAPACITOR | 封装/外壳:径向 容值:470nF 偏差:±10% 电压:100V |
| 通用薄膜电容 | 505PHC400K | ILLINOIS CAPACITOR | 封装/外壳:轴向 容值:5uF 偏差:±10% 电压:400V |
| 通用薄膜电容 | 04023J4R1BBSTR | AVX | 容值:4.1pF 偏差:±0.1% 电压:25V 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.022" 宽(1.00mm x 0.55mm) |
| 通用薄膜电容 | 04023J0R9PBSTR | AVX | 容值:0.9pF 偏差:±0.02% 电压:25V 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.022" 宽(1.00mm x 0.55mm) |
| 通用薄膜电容 | 04023J0R7ABSTR | AVX | 封装/外壳:0402 容值:0.7pF 偏差:±0.05% 电压:25V 封装/外壳:0402 |
| 通用薄膜电容 | 04023J6R8BBSTR | AVX | 容值:6.8pF 偏差:±0.1% 电压:25V 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.022" 宽(1.00mm x 0.55mm) |
| 通用薄膜电容 | 04023J4R7ABSTR | AVX | 偏差:±0.05pF 封装/外壳:0402 电压:25VDC 容值:4.7pF 电压:25V |
| 通用薄膜电容 | WMF6W1K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:1uF 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | WMF6S1K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:10nF 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | WMF6P47K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:470nF 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | WMF4P68K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:680nF 电压:400V |
| 通用薄膜电容 | WMF4P1K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:100nF 电压:400V |
| 通用薄膜电容 | WMF2S22K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:22nF 电压:250V |
| 通用薄膜电容 | 02013J0R1PBSTR | AVX | 容值:0.1pF 偏差:±0.02pF 电压:25V 封装/外壳:0201 |
| 通用薄膜电容 | WMF1S68K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:68nF 电压:100V |
| 通用薄膜电容 | WMF1S47K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:47nF 电压:100V |
| 通用薄膜电容 | WMF1S22K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:22nF 电压:100V |
| 通用薄膜电容 | WMC2D1K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:1nF 电压:200V |
| 通用薄膜电容 | WMC08S22K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:22nF 电压:80V |
| 通用薄膜电容 | WMC08S33K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:33nF 电压:80V |
| 通用薄膜电容 | WMC08S1K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:10nF 电压:80V |
| 通用薄膜电容 | WMC08P1K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:100nF 电压:80V |
| 通用薄膜电容 | UNL4W30K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:径向,Can 容值:30uF 电压:400V 封装/外壳:35 (Dia.) x 53.7mm |
| 通用薄膜电容 | 04023J5R6BBSTR500 | AVX | 容值:5.6pF 偏差:±0.1% 电压:25V 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.022" 宽(1.00mm x 0.55mm) |
| 通用薄膜电容 | MKT1818310255W | Vishay(威世) | 容值:10nF 偏差:±10% 封装/外壳:径向 |
| 通用薄膜电容 | MKP385447063JI02W0 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:470nF 偏差:±5% 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | MKP1847533444P2 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:3.3uF 偏差:±5% 电压:1KV |
| 通用薄膜电容 | QXK2G104KTPTZH | Nichicon(尼吉康) | 封装/外壳:径向 容值:100nF 偏差:±10% 电压:400V |
| 通用薄膜电容 | QXP2J224KRPT | Nichicon(尼吉康) | 封装/外壳:径向 容值:220nF 偏差:±10% 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | QAK2J225KTP | Nichicon(尼吉康) | 封装/外壳:轴向 容值:2.2uF 偏差:±10% 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | QXK2E474KTPTZH | Nichicon(尼吉康) | 封装/外壳:径向 容值:470nF 偏差:±10% 电压:250V |
| 通用薄膜电容 | QYX1H104JTP | Nichicon(尼吉康) | 封装/外壳:径向 容值:100nF 偏差:±5% 电压:50V |
| 通用薄膜电容 | QXP2J104KRPT | Nichicon(尼吉康) | 封装/外壳:径向 容值:100nF 偏差:±10% 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | SFT44T40K391B-F | CDE(美国大D) | 容值:40uF 偏差:±10% 封装/外壳:径向,Can |
| 通用薄膜电容 | SFD66T30K391B-F | CDE(美国大D) | 容值:30uF 偏差:±10% 封装/外壳:径向,Can |
| 通用薄膜电容 | SCD155K102D3Z25-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:矩形接线盒 容值:1.5uF 电压:1KV |
| 通用薄膜电容 | SCD205K102D3Z25-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:矩形接线盒 容值:2uF 电压:1KV |
| 通用薄膜电容 | SCD105K102D3Z25-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:矩形接线盒 容值:1uF 电压:1KV |
| 通用薄膜电容 | MMWA6W1K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:1uF 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | MMWA4W1K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:1uF 电压:400V |
| 通用薄膜电容 | MMP6P33K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:330nF 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | MMP6P1K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:100nF 电压:630V |
| 通用薄膜电容 | MMP4W2P2K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:2.2uF 电压:400V |
| 通用薄膜电容 | MMP4P33K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:330nF 电压:400V |
| 通用薄膜电容 | MMP2W10K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:10uF 电压:250V |
| 通用薄膜电容 | MMP2P1K-F | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:轴向 容值:100nF 电压:250V |
| 通用薄膜电容 | MEXY2A472K | CDE(美国大D) | 容值:4.7nF 偏差:±10% 封装/外壳:径向 |
| 通用薄膜电容 | MEXY2A154K | CDE(美国大D) | 容值:150nF 偏差:±10% 封装/外壳:径向 |
| 通用薄膜电容 | MEXY2A105K | CDE(美国大D) | 容值:1uF 偏差:±10% 封装/外壳:径向 |
| 通用薄膜电容 | 04023J5R6BBSTR | AVX | 容值:5.6pF 偏差:±0.1% 电压:25V 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.022" 宽(1.00mm x 0.55mm) |
| 通用薄膜电容 | 04023J0R4PBSTR | AVX | 容值:0.4pF 偏差:±0.02pF 电压:25V 封装/外壳:0402 |
| 通用薄膜电容 | 04023J0R2PBSTR | AVX | 容值:0.2pF 偏差:±0.02% 电压:25V 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.022" 宽(1.00mm x 0.55mm) |
| 通用薄膜电容 | CB052G0224KBC | AVX | |
| 通用薄膜电容 | 2222-372-21474 | Vishay(威世) | 容值:470nF 偏差:±10% 封装/外壳:径向 |
| 通用薄膜电容 | 06035J100GBSTR | AVX | 封装/外壳:0603 容值:10pF 偏差:±2% 电压:50V 封装/外壳:0603 |
| 通用薄膜电容 | 715P10454LD3 | Vishay(威世) | 容值:100nF 偏差:±5% 封装/外壳:径向 |
| 通用薄膜电容 | BFC233922104 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:100nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | BFC233660153 | Vishay(威世) | 偏差:±20% 容值:15nF 电压:300V |
| 通用薄膜电容 | BFC233666103 | Vishay(威世) | 容值:10nF 偏差:±20% 封装/外壳:径向 |
| 通用薄膜电容 | BFC233868173 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:47nF 偏差:±10% |
| 通用薄膜电容 | BFC233920684 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:680nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | BFC233862562 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:5.6nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | BFC233920684 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:680nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | BFC233860334 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:330nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | BFC233860563 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:56nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | BFC233868392 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:1nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | BFC233920334 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:330nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | BFC233820333 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:33nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | BFC233860153 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:15nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | BFC233910225 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:2.2uF 偏差:±10% |
| 通用薄膜电容 | BFC233921683 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:68nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | BFC236521224 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:220nF 偏差:±10% 电压:100V |
| 通用薄膜电容 | BFC233920103 | Vishay(威世) | 容值:10nF 偏差:±20% 封装/外壳:径向 |
| 通用薄膜电容 | BFC233921223 | Vishay(威世) | 容值:22nF 偏差:±20% 封装/外壳:径向 |
| 通用薄膜电容 | BFC233912334 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:330nF 偏差:±10% |
| 通用薄膜电容 | BFC233820473 | Vishay(威世) | 封装/外壳:径向 容值:47nF 偏差:±20% |
| 通用薄膜电容 | 06035J0R5BBTTR | AVX | 封装/外壳:0603 容值:0.5pF 偏差:±0.1pF 电压:50V 封装/外壳:0603 |
| 通用薄膜电容 | FCP1913H473J-E1 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:1913 容值:47nF 电压:50V |
| 通用薄膜电容 | FCP1913H104J-E2 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:1913 容值:100nF 电压:50V |
| 通用薄膜电容 | FCP1210H393J-G3 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:1210 容值:39nF 电压:50V |
| 通用薄膜电容 | FCP1210H153J-G1 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:1210 容值:15nF 电压:50V |
| 通用薄膜电容 | FCP1210C104J-G3 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:1210 容值:100nF 电压:16V |
| 通用薄膜电容 | FCP1206H332G-H1 | CDE(美国大D) | 容值:3.3nF 偏差:±2% 封装/外壳:1206 |
| 通用薄膜电容 | FCP1206H103J-H2 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:1206 容值:10nF 电压:50V |
| 通用薄膜电容 | FCP1206C473J-H3 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:1206 容值:47nF 电压:16V |
| 通用薄膜电容 | FCP1206C333J-H2 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:1206 容值:33nF 电压:16V |
| 通用薄膜电容 | FCP1206C223J-H1 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:1206 容值:22nF 电压:16V |
| 通用薄膜电容 | FCP0805H331J-J1 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:0805 容值:300pF 电压:50V 电压:50Volts 容值:330pF 偏差:±5% 封装/外壳:0805 |
| 通用薄膜电容 | FCP0805H102J-J1 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:0805 容值:1nF 电压:50V |
| 通用薄膜电容 | FCP0805C682J-J1 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:0805 容值:6.8nF 电压:16V |
| 通用薄膜电容 | FCP0603C222G-K1 | CDE(美国大D) | 容值:2.2nF 偏差:±2% 封装/外壳:0603 |
| 通用薄膜电容 | FCN3925A564K-V | CDE(美国大D) | 偏差:±10% 封装/外壳:3925 容值:560nF 电压:100V |
| 通用薄膜电容 | FCN2416G223J-D5 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:2416 容值:22nF 电压:400V |
| 通用薄膜电容 | FCN1913G103J-E3 | CDE(美国大D) | 偏差:±5% 封装/外壳:1913 容值:10nF 电压:400V |