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    SCR(可控硅) VS-16TTS08-M3 Vishay(威世) 电压 - 断态:800V 电压 - 栅极触发(Vgt)(最大值):2V 电流 - 栅极触发(Igt)(最大值):60mA 电压 - 通态(Vtm)(最大值):1.4V 电流 - 通态(It(AV))(最大值):10A 电流 - 通态(It(RMS))(最大值):16A 电流 - 保持(Ih)(最大值):150mA 电流 - 断态(最大值):10mA 电流 - 不重复浪涌 50,60Hz(Itsm):170A @ 50Hz SCR 类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB
    通用晶闸管 DT142N12KOF Infineon(英飞凌) FET类型:RectifierDiodeModule Vr - 反向电压:1200V 输出电流:230A 典型延迟时间:3uS RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:Diode / SCR Phase Control VDRM / VRRM [V]:1200.0 VDRM/ VRRM (V):1200.0V (diT/dt)cr [A/µs] (@DIN IEC 747- 6):150.0 Housing:Power Block 34 mm rT [mΩ] (@Tvj max) max:1.1 Tvj [°C] max:125.0 VT0 [V] (@Tvj max) max:0.9 ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max):84.0 RthJC [K/W] (@180° el sin) max:0.22 IFAVM/TC / ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin):142/85 IFSM / ITSM:4100.0A IFAVM / TC / ITAVM / TC:142/85 (180° el sin) A/°C IFSM / ITSM [A] (@10ms, Tvj max):4100.0
    TVS晶闸管/半导体放电管 P0080SB-SE SEMIWARE(赛米微尔) 封装/外壳:SMB Ih[min](mA):50 Idrm[max](uA):5 Cj[Typ](pF):80 Ipp-10x1000us(A):80 Is[max](V):800 Tj[max](°C):150 Vt[max](V):4 Vdrm[min](V):6 Vs[max](V):25

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