IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0410NF0AA2 | ST(意法半导体) | 系列:Z04 封装/外壳:Tube |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0409MF 1AA2 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:20A,21A 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-202 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0109NN 5AA4 | ST(意法半导体) | 电流 - 保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 封装/外壳:SOT-223 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0109MN 5AA4 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0107NN 5AA4 | ST(意法半导体) | 电流 - 保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 封装/外壳:SOT-223 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0107MUF | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:600V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SMBflat-3L |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0103MN 5AA4 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223 不重复通态电流:8.5 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压:1.56 V 保持电流（Ih 最大值）:7 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):5 mA |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0103MA 5AL2 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0103MA 1AA2 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z00607MA 1BA2 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:9A,9.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 110°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| SCR(可控硅) | X0405MF 1AA2 | ST(意法半导体) | 电流 - 保持（Ih）（最大值）:5mA 电流 - 断态（最大值）:5µA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:30A,33A SCR 类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压 - 断态:600V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:50µA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:900mA 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1.35A 封装/外壳:TO-202 |
| SCR(可控硅) | X0202NUF | ST(意法半导体) | 电压 - 断态:800V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:1.45V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:800mA 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1.25A 电流 - 保持（Ih）（最大值）:5mA 电流 - 断态（最大值）:5µA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:22.5A,25A SCR 类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SMBflat-3L |
| SCR(可控硅) | X00619MA5AL2 | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.35V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:9A,10A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 |
| SCR(可控硅) | X00602MA 5AL2 | ST(意法半导体) | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.35V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA Current-OnState(It(RMS))(Max):800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:9A,10A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 |
| SCR(可控硅) | X00602MA 1AA2 | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.35V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:9A,10A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 |
| SCR(可控硅) | TYN616RG | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:10A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电流-保持（Ih）（最大值）:40mA 电流-断态（最大值）:5µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,167A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| SCR(可控硅) | TYN612TRG | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:8A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 电流-断态（最大值）:5µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:140A,145A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| SCR(可控硅) | TYN612MRG | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:8A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,125A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| SCR(可控硅) | TS420-600B-TR | ST(意法半导体) | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:2.5A Current-OnState(It(RMS))(Max):4A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:5µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,33A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:D-Pak |
| TRIAC(双向可控硅) | T835H-6I | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:80A,84A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | T810-600B-TR | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:80A,84A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| TRIAC(双向可控硅) | T405-600B-TR | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,31A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| TRIAC(双向可控硅) | T2035H-6I | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:20A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:200A,210A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| TRIAC(双向可控硅) | T1635T-8I | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘 |
| TRIAC(双向可控硅) | T1635T-6I | ST(意法半导体) | 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压 - 断态:600V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:40mA 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | T1635H-6I | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTB16-800CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTB04-600SL | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:35A,38A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA41-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA26-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-800BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600SWRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA12-600CRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘 |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA12-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA08-600CRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:80A,84A 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA06-600TWRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:60A,63A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA06-600SWRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:60A,63A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA06-600CRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:60A,63A 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 不重复通态电流:63 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压:1.55 V 保持电流（Ih 最大值）:25 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V |
| TRIAC(双向可控硅) | ACST410-8BTR | ST(意法半导体) | 系列:ACS™/A.S.D® 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:800V Current-OnState(It(RMS))(Max):4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,32A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| TRIAC(双向可控硅) | ACST210-8FP | ST(意法半导体) | 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:2A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.1V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:8A,8.4A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 封装/外壳:TO-220FPAB |
| TRIAC(双向可控硅) | ACS108-8SN-TR | ST(意法半导体) | 配置:单一 工作温度:-30°C ~ 125°C(TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:13A,13.7A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 封装/外壳:SOT-223 |
| TRIAC(双向可控硅) | ACS108-8SA-TR | ST(意法半导体) | 系列:ACS™/A.S.D® 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:450mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:13A,13.7A 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-30°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0410NF0AA2 | ST(意法半导体) | 系列:Z04 封装/外壳:Tube |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0409MF 1AA2 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:20A,21A 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-202 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0109NN 5AA4 | ST(意法半导体) | 电流 - 保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 封装/外壳:SOT-223 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0109MN 5AA4 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0107NN 5AA4 | ST(意法半导体) | 电流 - 保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 封装/外壳:SOT-223 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0107MUF | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:600V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SMBflat-3L |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0103MN 5AA4 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-223 不重复通态电流:8.5 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压:1.56 V 保持电流（Ih 最大值）:7 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 栅触发电流 (Igt):5 mA |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0103MA 5AL2 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:600V Current-OnState(It(RMS))(Max):1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z0103MA 1AA2 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,8.5A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:7mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| TRIAC(双向可控硅) | Z00607MA 1BA2 | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:9A,9.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 110°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 |
| SCR(可控硅) | X0405MF 1AA2 | ST(意法半导体) | 电流 - 保持（Ih）（最大值）:5mA 电流 - 断态（最大值）:5µA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:30A,33A SCR 类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 电压 - 断态:600V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:50µA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:900mA 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1.35A 封装/外壳:TO-202 |
| SCR(可控硅) | X0202NUF | ST(意法半导体) | 电压 - 断态:800V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:1.45V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:800mA 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:1.25A 电流 - 保持（Ih）（最大值）:5mA 电流 - 断态（最大值）:5µA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:22.5A,25A SCR 类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SMBflat-3L |
| SCR(可控硅) | X00619MA5AL2 | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.35V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:9A,10A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 |
| SCR(可控硅) | X00602MA 5AL2 | ST(意法半导体) | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.35V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA Current-OnState(It(RMS))(Max):800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:9A,10A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 |
| SCR(可控硅) | X00602MA 1AA2 | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.35V 电流-通态（It（AV））（最大值）:500mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:9A,10A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 |
| SCR(可控硅) | TYN616RG | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:10A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电流-保持（Ih）（最大值）:40mA 电流-断态（最大值）:5µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,167A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| SCR(可控硅) | TYN612TRG | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:8A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 电流-断态（最大值）:5µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:140A,145A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| SCR(可控硅) | TYN612MRG | ST(意法半导体) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:8A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,125A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| SCR(可控硅) | TS420-600B-TR | ST(意法半导体) | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:2.5A Current-OnState(It(RMS))(Max):4A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:5µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,33A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:D-Pak |
| TRIAC(双向可控硅) | T835H-6I | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:80A,84A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | T810-600B-TR | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:80A,84A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| TRIAC(双向可控硅) | T405-600B-TR | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,31A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| TRIAC(双向可控硅) | T2035H-6I | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:20A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:200A,210A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 整包 |
| TRIAC(双向可控硅) | T1635T-8I | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流-保持（Ih）（最大值）:45mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘 |
| TRIAC(双向可控硅) | T1635T-6I | ST(意法半导体) | 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压 - 断态:600V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:40mA 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | T1635H-6I | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTB16-800CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTB04-600SL | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:35A,38A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA41-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A,420A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA26-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A,260A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:50mA 电流-保持（Ih）（最大值）:80mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TOP3 |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-800BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600SWRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600CWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600BWRG | ST(意法半导体) | 系列:Snubberless™ 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA16-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:160A,168A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA12-600CRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 绝缘 |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA12-600BRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:120A,126A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA08-600CRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:80A,84A 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA06-600TWRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:60A,63A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:5mA 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA06-600SWRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:60A,63A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:15mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB |
| TRIAC(双向可控硅) | BTA06-600CRG | ST(意法半导体) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:6A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:60A,63A 电流-保持（Ih）（最大值）:25mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220AB 不重复通态电流:63 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态电压:1.55 V 保持电流（Ih 最大值）:25 mA 栅触发电压 (Vgt):1.3 V |
| TRIAC(双向可控硅) | ACST410-8BTR | ST(意法半导体) | 系列:ACS™/A.S.D® 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 Voltage-OffState:800V Current-OnState(It(RMS))(Max):4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:30A,32A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 电流-保持（Ih）（最大值）:20mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:D-Pak |
| TRIAC(双向可控硅) | ACST210-8FP | ST(意法半导体) | 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:2A 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.1V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:8A,8.4A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 封装/外壳:TO-220FPAB |
| TRIAC(双向可控硅) | ACS108-8SN-TR | ST(意法半导体) | 配置:单一 工作温度:-30°C ~ 125°C(TJ) 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压 - 断态:800V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:13A,13.7A 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:10mA 封装/外壳:SOT-223 |
| TRIAC(双向可控硅) | ACS108-8SA-TR | ST(意法半导体) | 系列:ACS™/A.S.D® 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:800V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:450mA 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:13A,13.7A 电流-保持（Ih）（最大值）:10mA 配置:单一 工作温度:-30°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用晶闸管 | TT61N12KOF | Infineon(英飞凌) | FET类型:RectifierDiodeModule Vr - 反向电压:1200V 系列:TT61N 包装方式:Tray 配置:1-PhaseController-AllSCRs 输出电流:120A 栅极触发电流-Igt:120mA 保持电流Ih最大值:200mA 典型延迟时间:3us 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 通用晶闸管 | TT210N16KOF | Infineon(英飞凌) | FET类型:RectifierDiodeModule Vr - 反向电压:1600V 输出电流:410A 典型延迟时间:3uS RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:SCR / SCR Phase Control VDRM / VRRM [V]:1600.0 VDRM/ VRRM (V):1600.0V (diT/dt)cr [A/µs] (@DIN IEC 747- 6):150.0 Housing:PowerBLOCK 50 mm rT [mΩ] (@Tvj max) max:0.85 Tvj [°C] max:125.0 VT0 [V] (@Tvj max) max:1.0 ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max):168.0 RthJC [K/W] (@180° el sin) max:0.13 IFAVM/TC / ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin):210/85 IFSM / ITSM:5800.0A IFAVM / TC / ITAVM / TC:210/85 (180° el sin) A/°C IFSM / ITSM [A] (@10ms, Tvj max):5800.0 |
| 通用晶闸管 | TT142N14KOF | Infineon(英飞凌) | FET类型:RectifierDiodeModule Vr - 反向电压:1400V 包装方式:Tray 输出电流:230A 栅极触发电流-Igt:150mA 保持电流Ih最大值:200mA 典型延迟时间:3us 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 通用晶闸管 | TDB6HK95N16LOF | Infineon(英飞凌) | FET类型:PhaseControl Vr - 反向电压:1600V 系列:TTB6C 包装方式:Tray 配置:Bridge,1-Phase 输出电流:75A 栅极触发电流-Igt:150mA 保持电流Ih最大值:200mA 典型延迟时间:1.2us 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 通用晶闸管 | TT210N12KOF | Infineon(英飞凌) | FET类型:RectifierDiodeModule Vr - 反向电压:1200V 输出电流:410A RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:SCR / SCR Phase Control VDRM / VRRM [V]:1200.0 VDRM/ VRRM (V):1200.0V (diT/dt)cr [A/µs] (@DIN IEC 747- 6):150.0 Housing:Power Block 50 mm rT [mΩ] (@Tvj max) max:0.85 Tvj [°C] max:125.0 VT0 [V] (@Tvj max) max:1.0 ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max):168.0 RthJC [K/W] (@180° el sin) max:0.13 IFAVM/TC / ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin):210/85 IFSM / ITSM:5800.0A IFAVM / TC / ITAVM / TC:210/85 (180° el sin) A/°C IFSM / ITSM [A] (@10ms, Tvj max):5800.0 |
| 通用晶闸管 | TD210N12KOF | Infineon(英飞凌) | FET类型:PhaseControl Vr - 反向电压:1200V 系列:TD210N 包装方式:Tray 配置:SeriesConnection-SCR,Diode 输出电流:410A 栅极触发电流-Igt:200mA 保持电流Ih最大值:300mA 典型延迟时间:3us 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 通用晶闸管 | TD430N22KOF | Infineon(英飞凌) | FET类型:RectifierDiodeModule Vr - 反向电压:2200V 输出电流:800A RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Configuration:SCR / Diode Phase Control VDRM / VRRM [V]:2200.0 VDRM/ VRRM (V):2200.0V (diT/dt)cr [A/µs] (@DIN IEC 747- 6):150.0 Housing:Power Block 60 mm rT [mΩ] (@Tvj max) max:0.45 Tvj [°C] max:125.0 VT0 [V] (@Tvj max) max:0.95 ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max):720.0 RthJC [K/W] (@180° el sin) max:0.065 IFAVM/TC / ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin):430/85 IFSM / ITSM:12000.0A IFAVM / TC / ITAVM / TC:430/85 (180° el sin) A/°C IFSM / ITSM [A] (@10ms, Tvj max):12000.0 |
| 通用晶闸管 | TT180N12KOF | Infineon(英飞凌) | FET类型:RectifierDiodeModule 输出电流:350A RoHS compliant:yes 包装方式:TRAY Moisture Level:NA Configuration:SCR / SCR Phase Control VDRM / VRRM [V]:1200.0 IFSM / ITSM [A] (@10ms, Tvj max):4100.0 VDRM/ VRRM (V):1200.0 V (diT/dt)cr [A/µs] (@DIN IEC 747- 6):150.0 Housing:PowerBLOCK 34 mm rT [mΩ] (@Tvj max) max:0.9 Tvj [°C] max:130.0 IFAVM/TC / ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin):180/85 VT0 [V] (@Tvj max) max:0.85 ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max):84.0 RthJC [K/W] (@180° el sin) max:0.2 RthJC [K/W] (@180° el sin) max:0.2 IFAVM/TC / ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin):180/85 IFSM / ITSM:4100.0A IFAVM / TC / ITAVM / TC:180/85 (180° el sin) A/°C rT [mΩ] (@Tvj max) max:0.9 Tvj [°C] max:130.0 IFSM / ITSM [A] (@10ms, Tvj max):4100.0 VT0 [V] (@Tvj max) max:0.85 ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max):84.0 (diT/dt)cr [A/µs] (@DIN IEC 747- 6):150.0 |
| 通用晶闸管 | TT92N14KOF | Infineon(英飞凌) | FET类型:RectifierDiodeModule Vr - 反向电压:1400V 系列:TT92N 包装方式:Tray 配置:1-PhaseController-AllSCRs 输出电流:160A 栅极触发电流-Igt:120mA 保持电流Ih最大值:200mA 典型延迟时间:3us 工作温度:-40°C ~ 130°C |
| 通用晶闸管 | TD210N14KOF | Infineon(英飞凌) | FET类型:PhaseControl Vr - 反向电压:1400V 系列:TD210N 包装方式:Tray 配置:SeriesConnection-SCR,Diode 输出电流:410A 栅极触发电流-Igt:200mA 保持电流Ih最大值:300mA 典型延迟时间:3us 工作温度:-40°C ~ 125°C |