IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 整流二极管 | CMR1-10M TR13 | Central(中央半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 1000V 结电容Cj:8pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-65°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | CMR1-04M BK | Central(中央半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 400V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-65°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | CMR1-02M TR13 | Central(中央半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 200V 结电容Cj:8pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-65°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | CMPSH-3E TR | Central(中央半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:500nA @ 25V 结电容Cj:7pF @ 1V,1MHz 封装/外壳:SOT-23 工作温度-结:-65°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | CMPD2003S TR | Central(中央半导体) | 配置:1 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:100nA @ 200V 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23 |
| 整流二极管 | CMPD2003C TR | Central(中央半导体) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:100nA @ 200V 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23 |
| 整流二极管 | CMMR1U-04 TR | Central(中央半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.4V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:1µA @ 400V 结电容Cj:9pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SOD-123F 工作温度-结:-65°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | CMDZ5L1 TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:5.1V 偏差:±5% 功率耗散Pd:250mW 齐纳阻抗Zz:400 Ohms 反向漏电流Ir:1µA @ 1.5V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-323 |
| 整流二极管 | MMBD6100LT1G | ON(安森美) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:70V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:1.1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:100nA @ 50V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) |
| 整流二极管 | MMBD101LT1G | ON(安森美) | FET类型:肖特基 - 单 反向电压Vr:7V 结电容Cj:1pF @ 0V,1MHz 功率耗散Pd:225mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) |
| 整流二极管 | MMSZ4V7T1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:80 Ohms 反向漏电流Ir:3µA @ 2V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:4.7V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | MMBZ5235BLT1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 功率耗散Pd:225mW 齐纳阻抗Zz:5 Ohms 反向漏电流Ir:3µA @ 5V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:6.8V 功率耗散Pd:300mW |
| 整流二极管 | CMDZ15L TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:15V 偏差:±5% 功率耗散Pd:250mW 齐纳阻抗Zz:80 Ohms 反向漏电流Ir:1µA @ 11.5V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-323 |
| 整流二极管 | MMSZ4679T1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 反向漏电流Ir:5µA @ 1V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:2V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | MMSZ4V7T1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:80 Ohms 反向漏电流Ir:3µA @ 2V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:4.7V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | CLL5262B TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:51V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:125 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 39V 正向电压Vf:1.25V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:SOD-80 |
| 整流二极管 | MMSZ3V3T1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:95 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 1V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:3.3V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | MMSZ12T1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:25 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 8V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:12V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | MMSD4148T1G | ON(安森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:100V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:5µA @ 75V 结电容Cj:4pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOD-123 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | MMSZ4693T1G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q101 反向漏电流Ir:10µA @ 5.7V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:7.5V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | CLL5245B TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:15V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:16 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 11V 正向电压Vf:1.25V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:SOD-80 |
| 整流二极管 | CLL5231B BK | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:5.1V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:17 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 2V 正向电压Vf:1.25V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:SOD-80 |
| 整流二极管 | CLL5230B TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:4.7V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:19 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 2V 正向电压Vf:1.25V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:SOD-80 |
| 整流二极管 | CLL5232B TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:5.6V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:11 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 3V 正向电压Vf:1.25V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:SOD-80 |
| 整流二极管 | CLL5231B TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:5.1V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:17 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 2V 正向电压Vf:1.25V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:SOD-80 |
| 整流二极管 | BYC30X-600P,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.8V @ 30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:10µA @ 600V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | BYV10X-600PQ | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:10A 正向电压Vf:2V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:10µA @ 600V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | BYQ28E-200,127 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.25V @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:10µA @ 200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | BYV29X-500,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:500V 正向电流If:9A 正向电压Vf:1.25V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:50µA @ 500V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BYV29X-500,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:500V 正向电流If:9A 正向电压Vf:1.25V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:50µA @ 500V 封装/外壳:TO-220FP 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BYV32EB-200,118 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:20A 正向电压Vf:1.15V @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:30µA @ 200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:D2PAK |
| 整流二极管 | BYW29E-150,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:150V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:10µA @ 150V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | BYV34-400,127 | WE EN | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:20A 正向电压Vf:1.35V @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:50µA @ 400V 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | BYW29E-200,127 | WE EN | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:10µA @ 200V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | CBRHD-02 BK | Central(中央半导体) | FET类型:单相 反向电压Vr:200V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:1V @ 400mA 反向漏电流Ir:5µA @ 200V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:4-HD DIP |
| 整流二极管 | CBRHD-01 BK | Central(中央半导体) | FET类型:单相 反向电压Vr:100V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:1V @ 400mA 反向漏电流Ir:5µA @ 100V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:4-HD DIP |
| 整流二极管 | CBR1F-060 | Central(中央半导体) | FET类型:单相 正向电压Vf:1.3V @ 1A 反向漏电流Ir:10µA @ 600V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:A 外壳 反向电压Vr:600V 正向电流If:1.5A |
| 整流二极管 | CBR10-J100 | Central(中央半导体) | FET类型:单相 正向电流If:5A 正向电压Vf:1.2V @ 5A 反向漏电流Ir:10µA @ 1000V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:4-方形,CM 封装/外壳:CM 反向电压Vr:1000V 正向电流If:10A |
| 整流二极管 | CBR1F-040 | Central(中央半导体) | FET类型:单相 正向电压Vf:1.3V @ 1A 反向漏电流Ir:10µA @ 400V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:A 外壳 封装/外壳:A 反向电压Vr:400V 正向电流If:1.5A |
| 整流二极管 | CBR1-D040S | Central(中央半导体) | FET类型:单相 正向电压Vf:1.1V @ 1A 反向漏电流Ir:10µA @ 400V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:4-SMDIP 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A |
| 整流二极管 | MMSZ5240BT1G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q101 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:17 Ohms 反向漏电流Ir:3µA @ 8V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:10V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | MMSZ5268BT1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:330 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 62V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:82V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | MMSZ5244BT1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:15 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 10V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:14V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | MMSZ5225BT1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:29 Ohms 反向漏电流Ir:50µA @ 1V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:3V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | MRS1504T3G | ON(安森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1.04V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1µA @ 400V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | IDW30G120C5BFKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:thinQ!™ 配置:1 对共阴极 FET类型:碳化硅肖特基 正向电流If:44A(DC) 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:124µA @ 1200V 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 反向电压Vr:1200V 正向电压Vf:1.65V @ 15A 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 整流二极管 | MMSZ6V2T1G | ON(安森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:10 Ohms 反向漏电流Ir:3µA @ 4V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:6.2V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | MUR2020RG | ON(安森美) | 系列:SWITCHMODE™ FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:20A 正向电压Vf:1.1V @ 20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:95ns 反向漏电流Ir:50µA @ 200V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | MURD620CTT4G | ON(安森美) | 系列:SWITCHMODE™ 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:5µA @ 200V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DPAK-3 |
| 整流二极管 | MUR1660CTG | ON(安森美) | 系列:SWITCHMODE™ 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.5V @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:60ns 反向漏电流Ir:10µA @ 600V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 整流二极管 | MURA205T3G | ON(安森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:2A 正向电压Vf:940mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:2µA @ 50V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | 1N5279B TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:180V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:2.2K Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 137V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-35 |
| 整流二极管 | 1N4744A BK | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:15V 偏差:±5% 功率耗散Pd:1W 齐纳阻抗Zz:14 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 11.4V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-41 |
| 整流二极管 | 1N4684 TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:3.3V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 反向漏电流Ir:7.5µA @ 1.5V 正向电压Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:DO-35 |
| 整流二极管 | 1N4687 BK | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:4.3V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 反向漏电流Ir:4µA @ 2V 正向电压Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:DO-35 |
| 整流二极管 | 1N4626 TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:5.6V 偏差:±5% 功率耗散Pd:250mW 齐纳阻抗Zz:1.4K Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 4V 正向电压Vf:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:DO-35 |
| 整流二极管 | 1N4679 TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:2V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 反向漏电流Ir:5µA @ 1V 正向电压Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:DO-35 |
| 整流二极管 | 1N4624 BK | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:4.7V 偏差:±5% 功率耗散Pd:250mW 齐纳阻抗Zz:1550 Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 3V 正向电压Vf:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:DO-35 |
| 整流二极管 | 1N4615 TR | Central(中央半导体) | 齐纳电压Vz:2V 偏差:±5% 功率耗散Pd:250mW 齐纳阻抗Zz:1250 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 1V 正向电压Vf:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:DO-35 |
| 整流二极管 | IDP40E65D2XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:标准 反向电压Vr:650V 正向电流If:40A 正向电压Vf:2.3V @ 40A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:40µA @ 650V 封装/外壳:PG-TO220-2 封装/外壳:TO-220-2 工作温度-结:-40°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | IDD05SG60C | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO252-3 反向浪涌电压Vrrm:600V 配置:Single 系列:IDD05SG60 高度:2.41mm(Max) 长度:6.73mm(Max) 工作温度:-55°C~175°C 宽度:6.22mm(Max) 正向电流If:5.0A 正向电压Vf:2.1V 反向漏电流Ir:0.4µA 正向浪涌电流Ifsm:26.0A 品质因数QC:6.0nC 反向直流电压Vdc-min:600.0V |
| 整流二极管 | NRVTS1045EMFST3G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:600mV @ 10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50µA @ 45V 结电容Cj:300pF @ 45V,1MHz 封装/外壳:5-DFN(5x6)(8-SOFL) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | NRVTSA4100T3G | ON(安森美) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:4A 正向电压Vf:660mV @ 4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:25µA @ 100V 结电容Cj:54.7pF @ 100V,1MHz 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | BAV99BRV-7 | Diodes(达尔（美台）) | 配置:2 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:215mA(DC) 正向电压Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:2.5µA @ 75V 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-563 |
| 整流二极管 | RB751V40T1G | ON(安森美) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:30mA(DC) 正向电压Vf:370mV @ 1mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:500nA @ 30V 结电容Cj:2.5pF @ 1V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | SZBZX84B18LT1G | ON(安森美) | 功率耗散Pd:225mW 齐纳阻抗Zz:45 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 12.6V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:18V 功率耗散Pd:300mW |
| 整流二极管 | SZBZX84C47LT1G | ON(安森美) | 偏差:±6% 功率耗散Pd:225mW 齐纳阻抗Zz:170 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 32.9V 正向电压Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 齐纳电压Vz:47V 功率耗散Pd:300mW |
| 整流二极管 | JAN1N5806US | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/477 FET类型:标准 反向电压Vr:150V 正向电流If:2.5A 正向电压Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:1µA @ 150V 结电容Cj:25pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:D-5A 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | BAV23S | Fairchild(仙童) | 配置:1 对串联 FET类型:标准 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:100nA @ 250V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳:SOT-23 正向电流If:225A 反向电压Vr:250V 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:0.1uA 正向电压Vf:1.25V |
| 整流二极管 | BAS40SL | Fairchild(仙童) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:100mA 正向电压Vf:1V @ 40mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:8ns 反向漏电流Ir:200nA @ 30V 结电容Cj:5pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOD-923 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | BAS70SV | Fairchild(仙童) | 配置:2 个独立式 FET类型:肖特基 反向电压Vr:70V 正向电流If:70mA 正向电压Vf:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:8ns 反向漏电流Ir:2.5µA @ 70V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-563F |
| 整流二极管 | BZX79C10_T50A | Fairchild(仙童) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:20 Ohms 反向漏电流Ir:200nA @ 7V 正向电压Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:10V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | BAS29 | Fairchild(仙童) | FET类型:标准 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:100nA @ 90V 结电容Cj:2pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-236 正向电流If:0.2A 反向电压Vr:120V 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:0.1uA 正向电压Vf:0.75V |
| 整流二极管 | BAS16 | Fairchild(仙童) | |
| 整流二极管 | BZX85C3V3 | Fairchild(仙童) | 偏差:±6% 功率耗散Pd:1W 齐纳阻抗Zz:20 Ohms 反向漏电流Ir:60µA @ 1V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:3.3V 功率耗散Pd:1.3W 稳压电流Izt:70mA |
| 整流二极管 | BZX85C13 | Fairchild(仙童) | 偏差:±6% 功率耗散Pd:1W 齐纳阻抗Zz:10 Ohms 反向漏电流Ir:500nA @ 9.1V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:13V 功率耗散Pd:1.3W 稳压电流Izt:20mA |
| 整流二极管 | FDH300TR | Fairchild(仙童) | FET类型:标准 反向电压Vr:125V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:1nA @ 125V 结电容Cj:6pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-35 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | FDLL4448 | Fairchild(仙童) | FET类型:标准 反向电压Vr:100V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:5µA @ 75V 结电容Cj:2pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOD-80 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | 1N4964US | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 反向漏电流Ir:5µA @ 13.7V 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:E-MELF 齐纳电压Vz:18V 功率耗散Pd:5W |
| 整流二极管 | 1N4153UR-1 | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:50nA @ 50V 结电容Cj:2pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-213AA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | 1N5532BUR-1 | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:90 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 10.8V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 齐纳电压Vz:12V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | 1N5523BUR-1 | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:26 Ohms 反向漏电流Ir:2µA @ 2.5V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 齐纳电压Vz:5.1V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | 1N5615US | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:150ns 反向漏电流Ir:500nA @ 200V 结电容Cj:45pF @ 12V,1MHz 封装/外壳:D-5A 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | 1N5552US | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.2V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2µs 反向漏电流Ir:1µA @ 600V 封装/外壳:D-5B 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | 1N4615UR | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:1250 Ohms 反向漏电流Ir:2.5µA @ 1V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 封装/外壳:DO-213AA 齐纳电压Vz:2V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | 1N5619US | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:250ns 反向漏电流Ir:500nA @ 600V 结电容Cj:25pF @ 12V,1MHz 封装/外壳:D-5A 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | 1N5617US | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:150ns 反向漏电流Ir:500nA @ 400V 结电容Cj:35pF @ 12V,1MHz 封装/外壳:D-5A 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | 1N6643US | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:300mA 正向电压Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:50nA @ 50V 结电容Cj:5pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:D-5B 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | APTDF500U20G | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:500A 正向电压Vf:1.1V @ 500A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:70ns 反向漏电流Ir:2.5mA @ 200V 封装/外壳:LP4 |
| 整流二极管 | CDLL4135 | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:1600 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 76V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB 封装/外壳:DO-213AA 齐纳电压Vz:100V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | APT15D100KG | Microsemi(美高森美) | FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:15A 正向电压Vf:2.3V @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:260ns 反向漏电流Ir:250µA @ 1000V 封装/外壳:TO-220 [K] 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | JAN1N4621UR-1 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:1700 Ohms 反向漏电流Ir:3.5µA @ 2V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AA 封装/外壳:MELF 齐纳电压Vz:3.6V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | APT2X51DC120J | Microsemi(美高森美) | 配置:2 个独立式 FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:1200V 正向电流If:50A 正向电压Vf:1.8V @ 50A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:1mA @ 1200V 封装/外壳:SOT-227 |
| 整流二极管 | JAN1N759A-1 | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:10 Ohms 反向漏电流Ir:1µA @ 9V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:12V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | JANTX1N4099-1 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 5.17V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:6.8V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | JANTX1N4150-1 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/231 FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:300mA(DC) 正向电压Vf:740mV @ 10mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:100nA @ 50V 结电容Cj:2.5pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-35 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | JAN1N3613 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/228 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 300V 封装/外壳:A,轴向 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | JANTX1N4100-1 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/435 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 反向漏电流Ir:1µA @ 5.7V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:7.5V 功率耗散Pd:500mW |
| 整流二极管 | JAN1N4944 | Microsemi(美高森美) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/360 FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:150ns 反向漏电流Ir:1µA @ 400V 封装/外壳:A,轴向 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | JAN1N750A-1 | Microsemi(美高森美) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:15 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 1.5V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 封装/外壳:DO-35 齐纳电压Vz:4.7V 功率耗散Pd:500mW |