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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 整流二极管 | VS-12CWQ06FNTRPBF | Vishay(威世) | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:6A 正向电压Vf:610mV @ 6A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3mA @ 60V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:D-PAK(TO-252AA) |
| 整流二极管 | VS-3EJH02HM3/6A | Vishay(威世) | 系列:VS FET类型:标准 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 反向恢复时间trr:26 ns 正向电流If:3 A 反向电压Vr:200V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:860mV |
| 整流二极管 | VS-10BQ015-M3/5BT | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:15V 正向电流If:1A 正向电压Vf:390mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 15V 结电容Cj:390pF @ 5V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | VS-30BQ015-M3/9AT | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:15V 正向电流If:3A 正向电压Vf:350mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4mA @ 15V 结电容Cj:1120pF @ 5V,1MHz 封装/外壳:SMC 工作温度-结:-55°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | VSB1545-M3/54 | Vishay(威世) | 系列:TMBS® FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:590mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:800µA @ 45V 结电容Cj:1290pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:P600,轴向 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:P600 正向电流If:15 A 反向电压Vr:45 V 正向浪涌电流Ifsm:200 A |
| 整流二极管 | VS-6EWL06FNTR-M3 | Vishay(威世) | 系列:FRED Pt® FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:6A 正向电压Vf:1.25V @ 6A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:154ns 反向漏电流Ir:5µA @ 600V 封装/外壳:D-PAK(TO-252AA) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-252AA 反向恢复时间trr:154 ns 正向电流If:6 A 反向电压Vr:600 V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:870 mV |
| 整流二极管 | VS-45L60 | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:150A 正向电压Vf:1.33V @ 471A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 封装/外壳:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-205AA(DO-8) 工作温度-结:-40°C ~ 200°C |
| 整流二极管 | VS-12CWQ04FNTRPBF | Vishay(威世) | 系列:VS 工作温度:-55°C~150°C 高度:2.39 mm 长度:6.73 mm 宽度:6.22 mm 封装/外壳:SMD/SMT 正向浪涌电流Ifsm:550 A 反向浪涌电压Vrrm:40 V 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:6A 正向电压Vf:530mV@6A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3mA @ 40V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | VS-50WQ06FNTR-M3 | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:5.5A 正向电压Vf:570mV@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3mA @ 60V 结电容Cj:360pF @ 5V,1MHz 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | VS-30BQ040HM3/9AT | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:3A 正向电压Vf:570mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 40V 结电容Cj:230pF @ 5V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AB-2 正向电流If:3 A 反向电压Vr:40 V 正向电压Vf:460 mV 正向浪涌电流Ifsm:1.6 kA |
| 整流二极管 | VT3045C-M3/4W | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:570mV @ 15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:2mA @ 45V 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 正向电流If:30 A 反向电压Vr:45 V 正向电压Vf:0.39 V 正向浪涌电流Ifsm:200 A |
| 整流二极管 | VSSA210-E3/61T | Vishay(威世) | 系列:TMBS® FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1.7A(DC) 正向电压Vf:700mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150µA @ 100V 结电容Cj:175pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:SMA (DO-214AC) 正向电流If:2 A 反向电压Vr:100 V 正向电压Vf:0.61 V 正向浪涌电流Ifsm:60 A |
| 整流二极管 | BAV99BRVA-7 | Diodes(达尔（美台）) | 配置:2 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:215mA(DC) 正向电压Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:2.5µA @ 75V 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-563 |
| 整流二极管 | DA2JF8100L | Panasonic(松下) | FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:2.5V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:10µA @ 800V 结电容Cj:0.6pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SMini2-F5-B 工作温度-结:-40°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | DB2S20500L | Panasonic(松下) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:15V 正向电流If:200mA 正向电压Vf:390mV @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:2.2ns 反向漏电流Ir:50µA @ 6V 结电容Cj:6.1pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:SSMini2-F5-B 工作温度-结:125°C(最大) |
| 整流二极管 | DB2W40200L | Panasonic(松下) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:2A(DC) 正向电压Vf:470mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:15ns 反向漏电流Ir:250µA @ 40V 结电容Cj:50pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:迷你型2-F3-B 工作温度-结:150°C(最大) |
| 整流二极管 | DB2S31600L | Panasonic(松下) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:100mA 正向电压Vf:550mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:800ps 反向漏电流Ir:15µA @ 30V 结电容Cj:2pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:SSMini2-F5-B 工作温度-结:125°C(最大) |
| 整流二极管 | DB3J314K0L | Panasonic(松下) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:30mA(DC) 正向电压Vf:1V @ 30mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:1ns 反向漏电流Ir:300nA @ 30V 结电容Cj:1.5pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:SMini3-F2-B 工作温度-结:125°C(最大) |
| 整流二极管 | DB2J31400L | Panasonic(松下) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:30mA(DC) 正向电压Vf:1V @ 30mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:1ns 反向漏电流Ir:300nA @ 30V 结电容Cj:1.5pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:SMini2-F5-B 工作温度-结:125°C(最大) |
| 整流二极管 | DZ2J270M0L | Panasonic(松下) | 齐纳电压Vz:27V 偏差:±2.5% 齐纳阻抗Zz:120 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 21V 正向电压Vf:1V @ 10mA 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 封装/外壳:SMini2-F5-B 齐纳电压Vz:27.005V 功率耗散Pd:200mW |
| 整流二极管 | DB4J406K0R | Panasonic(松下) | 配置:2 个独立式 FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:100mA(DC) 正向电压Vf:600mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:900ps 反向漏电流Ir:5µA @ 40V 工作温度-结:125°C(最大) 封装/外壳:SMini4-F3-B |
| 整流二极管 | DB2132000L | Panasonic(松下) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:460mV @ 1.5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:16ns 反向漏电流Ir:100µA @ 30V 结电容Cj:48pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:SMINI2-F4-B-B 工作温度-结:125°C(最大) |
| 整流二极管 | DB2W31900L | Panasonic(松下) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:3A 正向电压Vf:490mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:23ns 反向漏电流Ir:200µA @ 30V 结电容Cj:70pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:迷你型2-F3-B 工作温度-结:125°C(最大) |
| 整流二极管 | DZ2408200L | Panasonic(松下) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:30 Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 4V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 封装/外壳:T迷你型P2-F2-B 封装/外壳:TMiniP2-F2-B 齐纳电压Vz:8.2V 功率耗散Pd:2W |
| 整流二极管 | DZ2S300M0L | Panasonic(松下) | 偏差:±2.5% 齐纳阻抗Zz:160 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 23V 正向电压Vf:1V @ 10mA 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SSMini2-F5-B 齐纳电压Vz:30V 功率耗散Pd:150mW |
| 整流二极管 | DZ2427000L | Panasonic(松下) | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:30 Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 19V 正向电压Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:T迷你型P2-F2-B 封装/外壳:TMiniP2-F2-B 齐纳电压Vz:27V 功率耗散Pd:2W |
| 整流二极管 | DZ2S120M0L | Panasonic(松下) | 齐纳电压Vz:12V 偏差:±2.5% 齐纳阻抗Zz:30 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 9V 正向电压Vf:1V @ 10mA 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SSMini2-F5-B 齐纳电压Vz:12.03V 功率耗散Pd:150mW |
| 整流二极管 | DZ2J082M0L | Panasonic(松下) | 齐纳电压Vz:8.2V 偏差:±2.5% 齐纳阻抗Zz:20 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 5V 正向电压Vf:1V @ 10mA 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 封装/外壳:SMini2-F5-B 齐纳电压Vz:8.23V 功率耗散Pd:200mW |
| 整流二极管 | DZ2S330M0L | Panasonic(松下) | 偏差:±2.5% 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 25V 正向电压Vf:1V @ 10mA 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SSMini2-F5-B 齐纳电压Vz:33V 功率耗散Pd:150mW |
| 整流二极管 | DZ2S330M0L | Panasonic(松下) | 偏差:±2.5% 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 反向漏电流Ir:50nA @ 25V 正向电压Vf:1V @ 10mA 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SSMini2-F5-B 齐纳电压Vz:33V 功率耗散Pd:150mW |
| 整流二极管 | STTH110 | ST(意法半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:10µA @ 1000V 封装/外壳:DO-41 工作温度-结:175°C(最大) 反向电压Vr:1000V(1KV) |
| 整流二极管 | M1MA142WAT1G | ON(安森美) | 配置:1 对共阳极 FET类型:标准 反向电压Vr:80V 正向电流If:100mA(DC) 正向电压Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:10ns 反向漏电流Ir:100nA @ 75V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:SC-70-3(SOT323) |
| 整流二极管 | MMSZ5265B-G3-08 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:62V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:185 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 47V 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 封装/外壳:SOD-123-2 齐纳电压Vz:62 V 功率耗散Pd:500 mW |
| 整流二极管 | MURB2020CTPBF | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,FRED Pt® 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:850mV @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:15µA @ 200V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:D2PAK |
| 整流二极管 | MURS320-E3/57T | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:3A 正向电压Vf:875mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:5µA @ 200V 封装/外壳:DO-214AB,(SMC) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-214AB-2 反向恢复时间trr:35 ns 正向电流If:4 A 反向电压Vr:200 V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:890 mV |
| 整流二极管 | MURB1020CT-1PBF | Vishay(威世) | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:5A 正向电压Vf:990mV @ 5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:10µA @ 200V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-262 |
| 整流二极管 | P600M-E3/54 | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:6A 正向电压Vf:1V @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2.5µs 反向漏电流Ir:5µA @ 1000V 结电容Cj:150pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:P600-2 反向恢复时间trr:2.5 us 正向电流If:22 A 反向电压Vr:1000 V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.4 V |
| 整流二极管 | P600K-E3/54 | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:6A 正向电压Vf:900mV @ 6A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2.5µs 反向漏电流Ir:5µA @ 800V 结电容Cj:150pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:P600 工作温度-结:-50°C ~ 150°C 封装/外壳:P600-2 反向恢复时间trr:2.5 us 正向电流If:22 A 反向电压Vr:800 V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.3 V |
| 整流二极管 | RGP02-14E-E3/54 | Vishay(威世) | 系列:SUPERECTIFIER® FET类型:标准 反向电压Vr:1400V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:1.8V @ 100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:300ns 反向漏电流Ir:5µA @ 1400V 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AL-2 反向恢复时间trr:300 ns 正向电流If:500 mA 反向电压Vr:1.4 KV 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.8 V |
| 整流二极管 | RGP30D-E3/54 | Vishay(威世) | 系列:SUPERECTIFIER® FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.3V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:150ns 反向漏电流Ir:5µA @ 200V 封装/外壳:DO-201AD 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-201AD-2 反向恢复时间trr:150 ns 正向电流If:3 A 反向电压Vr:200 V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.3 V |
| 整流二极管 | RGL41J-E3/96 | Vishay(威世) | 系列:SUPERECTIFIER® FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:250ns 反向漏电流Ir:5µA @ 600V 结电容Cj:15pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-213AB 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-213AB-2 反向恢复时间trr:250 ns 正向电流If:1 A 反向电压Vr:600 V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:1.3 V |
| 整流二极管 | RS3KHE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:标准 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.3V @ 2.5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 800V 结电容Cj:34pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AB,(SMC) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:500ns 正向电流If:3.0A 反向电压Vr:800V |
| 整流二极管 | RS1JHE3_A/I | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:标准 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5µA @ 600V 结电容Cj:7pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:250ns 正向电流If:1.0A 反向电压Vr:600V |
| 整流二极管 | S2J-E3/5BT | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1.15V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2µs 反向漏电流Ir:1µA @ 600V 结电容Cj:16pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AA 反向恢复时间trr:2 us 正向电流If:1.5 A 反向电压Vr:600 V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:1.15 V |
| 整流二极管 | S07M-GS08 | Vishay(威世) | FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10µA @ 1000V 结电容Cj:4pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 正向电流If:1.5 A 反向电压Vr:1KV 反向恢复时间trr:1800 ns 正向电压Vf:1.1V |
| 整流二极管 | S5A-E3/9AT | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:5A 正向电压Vf:1.15V @ 5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2.5µs 反向漏电流Ir:10µA @ 50V 结电容Cj:40pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AB,(SMC) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SMC 反向恢复时间trr:2500 ns 正向电流If:5 A 反向电压Vr:50 V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.15 V |
| 整流二极管 | S5M-E3/9AT | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:5A 正向电压Vf:1.15V @ 5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2.5µs 反向漏电流Ir:10µA @ 1000V 结电容Cj:40pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AB,(SMC) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AB 反向恢复时间trr:2.5 us 正向电流If:5 A 反向电压Vr:1 KV 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.15 V |
| 整流二极管 | S2J-E3/52T | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1.15V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2µs 反向漏电流Ir:1µA @ 600V 结电容Cj:16pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AA 反向恢复时间trr:2 us 正向电流If:1.5 A 反向电压Vr:600 V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:1.15 V |
| 整流二极管 | SB130-E3/54 | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:1A 正向电压Vf:480mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 30V 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) 工作温度-结:-65°C ~ 125°C 封装/外壳:DO-204AL 正向电流If:1 A 反向电压Vr:30 V 正向电压Vf:0.48 V 反向漏电流Ir:500 uA 正向浪涌电流Ifsm:50 A |
| 整流二极管 | S2J-E3/52T | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1.15V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2µs 反向漏电流Ir:1µA @ 600V 结电容Cj:16pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AA 反向恢复时间trr:2 us 正向电流If:1.5 A 反向电压Vr:600 V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:1.15 V |
| 整流二极管 | S2J-E3/52T | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1.15V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2µs 反向漏电流Ir:1µA @ 600V 结电容Cj:16pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AA 反向恢复时间trr:2 us 正向电流If:1.5 A 反向电压Vr:600 V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:1.15 V |
| 整流二极管 | S3K-E3/9AT | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.15V @ 2.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2.5µs 反向漏电流Ir:10µA @ 800V 结电容Cj:60pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AB,(SMC) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AB 反向恢复时间trr:2.5 us 正向电流If:3 A 反向电压Vr:800 V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.15 V |
| 整流二极管 | S3B-E3/57T | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:100V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.15V @ 2.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2.5µs 反向漏电流Ir:10µA @ 100V 结电容Cj:60pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AB 反向恢复时间trr:2.5 us 正向电流If:3 A 反向电压Vr:100 V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.15 V |
| 整流二极管 | S1A-E3/61T | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:1.8µs 反向漏电流Ir:1µA @ 50V 结电容Cj:12pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC 反向恢复时间trr:1.8 us 正向电流If:1 A 反向电压Vr:50 V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:1.1 V |
| 整流二极管 | S3M-E3/57T | Vishay(威世) | 系列:S FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:60pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向电压Vr:1KV 正向电流If:3A 配置:Single 正向电压Vf:1.15V 正向浪涌电流Ifsm:100A 反向漏电流Ir:10uA 反向恢复时间trr:2.5us 高度:2.42mm 长度:7.11mm 宽度:6.22mm 工作温度:-55°C~150°C |
| 整流二极管 | S3G-E3/57T | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.15V @ 2.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2.5µs 反向漏电流Ir:10µA @ 400V 结电容Cj:60pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AB,(SMC) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AB 反向恢复时间trr:2.5 us 正向电流If:3 A 反向电压Vr:400 V 反向漏电流Ir:10 uA 正向电压Vf:1.15 V |
| 整流二极管 | S1JHE3_A/H | Vishay(威世) | 系列:S FET类型:标准 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:12pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 反向恢复时间trr:1.8 us 正向电流If:1 A 反向电压Vr:600V 反向漏电流Ir:1 uA 正向电压Vf:1.1V |
| 整流二极管 | SB3H90-E3/73 | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:90V 正向电流If:3A 正向电压Vf:800mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20µA @ 90V 封装/外壳:DO-201AD,轴向 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:DO-201AD 正向电流If:3 A 反向电压Vr:90 V 正向电压Vf:0.8 V 反向漏电流Ir:20 uA 正向浪涌电流Ifsm:100 A |
| 整流二极管 | SB360-E3/73 | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:3A 正向电压Vf:680mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 60V 封装/外壳:DO-201AD,轴向 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-201AD 正向电流If:3 A 反向电压Vr:60 V 正向电压Vf:0.68 V 反向漏电流Ir:500 uA 正向浪涌电流Ifsm:120 A |
| 整流二极管 | SB15H45-E3/73 | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:7A 正向电压Vf:480mV @ 5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:300µA @ 45V 结电容Cj:1020pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-204AL(DO-41) 工作温度-结:200°C(最大) 封装/外壳:P600 正向电流If:15 A 反向电压Vr:45 V 正向电压Vf:0.64 V 反向漏电流Ir:300 uA 正向浪涌电流Ifsm:300 A |
| 整流二极管 | SB550-E3/54 | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 正向电流If:5 A 反向电压Vr:50V 正向电压Vf:0.65V 反向漏电流Ir:500 uA 正向浪涌电流Ifsm:220 A |
| 整流二极管 | SE15PGHM3/84A | Vishay(威世) | 系列:eSMP® FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1.05V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:900ns 反向漏电流Ir:5µA @ 400V 结电容Cj:9.5pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-220AA(SMP) 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-220AA 反向恢复时间trr:900 ns 正向电流If:1.5 A 反向电压Vr:400 V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:0.868 V |
| 整流二极管 | SB540-E3/54 | Vishay(威世) | 工作温度-结:-65°C ~ 150°C FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 正向电流If:5 A 正向浪涌电流Ifsm:220 A 反向漏电流Ir:500 uA 正向电压Vf:0.48V 反向浪涌电压Vrrm:40 V 宽度:5.3mm 工作温度:-65°C~125°C 配置:Single 长度:9.5mm 高度:5.3mm |
| 整流二极管 | SB360-E3/54 | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 正向电流If:3 A 反向电压Vr:60V 正向电压Vf:0.68V 反向漏电流Ir:500 uA 正向浪涌电流Ifsm:120 A |
| 整流二极管 | SBYV27-50-E3/54 | Vishay(威世) | FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.07V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:15ns 反向漏电流Ir:5µA @ 50V 结电容Cj:15pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-204AC(DO-15) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-15 反向恢复时间trr:15 ns 正向电流If:2 A 反向电压Vr:50 V 反向漏电流Ir:5 uA 正向电压Vf:0.88 V |
| 整流二极管 | SD103CWS-E3-08 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:350mA(DC) 正向电压Vf:600mV @ 200mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:10ns 反向漏电流Ir:5µA @ 10V 结电容Cj:50pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:SOD-323-2 正向电流If:350 mA 反向电压Vr:20 V 正向电压Vf:600 mV 反向漏电流Ir:5 uA 正向浪涌电流Ifsm:2 A |
| 整流二极管 | SD101A-TAP | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:30mA 正向电压Vf:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:200nA @ 50V 结电容Cj:2pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 工作温度-结:125°C(最大) 封装/外壳:DO-35 正向电流If:0.03 A 反向电压Vr:60 V 正向电压Vf:1 V at 0.015 A 反向漏电流Ir:0.2 uA at 50 V 正向浪涌电流Ifsm:2 A |
| 整流二极管 | SB5H100-E3/73 | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:5A 正向电压Vf:800mV @ 5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 100V 封装/外壳:DO-201AD,轴向 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:DO-201AD 正向电流If:5 A 反向电压Vr:100 V 正向电压Vf:0.8 V 反向漏电流Ir:200 uA 正向浪涌电流Ifsm:200 A |
| 整流二极管 | SGL41-60-E3/96 | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:700mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 60V 结电容Cj:80pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-213AB 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:MELF (DO-213AB) 正向电流If:1 A 反向电压Vr:60 V 正向电压Vf:0.7 V 正向浪涌电流Ifsm:30 A |
| 整流二极管 | SS12HE3_B/H | Vishay(威世) | 功率:20W |
| 整流二极管 | SL23-E3/5BT | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:440mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:400µA @ 30V 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:SMB (DO-214AA) 正向电流If:2 A 反向电压Vr:30 V 正向电压Vf:0.44 V 正向浪涌电流Ifsm:100 A |
| 整流二极管 | SL23-E3/52T | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:440mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:400µA @ 30V 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度-结:-55°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | SL13-E3/61T | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:445mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 30V 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度-结:-55°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | SL04-E3-18 | Vishay(威世) | |
| 整流二极管 | SML4762A-E3/5A | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:82V 偏差:±5% 功率耗散Pd:1W 齐纳阻抗Zz:200 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 62.2V 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 封装/外壳:SMA 齐纳电压Vz:82 V 功率耗散Pd:1 W |
| 整流二极管 | SML4764A-E3/61 | Vishay(威世) | 齐纳电压Vz:100V 偏差:±5% 功率耗散Pd:1W 齐纳阻抗Zz:350 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 76V 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 封装/外壳:SMA 齐纳电压Vz:100 V 功率耗散Pd:1 W 稳压电流Izt:2.5 mA |
| 整流二极管 | SML4749-E3/5A | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:24V 偏差:±10% 功率耗散Pd:1W 齐纳阻抗Zz:25 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 18.2V 工作温度:150°C 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 封装/外壳:SMA 齐纳电压Vz:24 V 功率耗散Pd:1 W |
| 整流二极管 | SMZJ3800B-E3/52 | Vishay(威世) | 齐纳电压Vz:30V 偏差:±5% 功率耗散Pd:1.5W 齐纳阻抗Zz:26 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 22.8V 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AA(SMBJ) 封装/外壳:DO-214AA-2 齐纳电压Vz:30 V 功率耗散Pd:1.5 W 稳压电流Izt:41 mA |
| 整流二极管 | SS26S-E3/61T | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 60V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 正向电流If:2 A 反向电压Vr:60V 正向电压Vf:0.75V 正向浪涌电流Ifsm:40 A |
| 整流二极管 | SS2P3L-M3/84A | Vishay(威世) | 系列:eSMP® FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电压Vf:500mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200µA @ 30V 结电容Cj:130pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-220AA(SMP) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-220AA 正向电流If:2A 反向电压Vr:30 V 正向电压Vf:0.5 V 正向浪涌电流Ifsm:50 A |
| 整流二极管 | SS24-E3/52T | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:2A 正向电压Vf:500mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:400µA @ 40V 工作温度-结:-65°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | SS1H10-E3/61T | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:770mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1µA @ 100V 工作温度-结:175°C(最大) |
| 整流二极管 | SS8PH10-M3/86A | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 结电容Cj:140pF @ 4V,1MHz 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 正向电流If:8 A 正向浪涌电流Ifsm:150 A 反向漏电流Ir:2 uA 正向电压Vf:0.85V 反向浪涌电压Vrrm:100 V 宽度:4.75mm 工作温度:-55°C~175°C 系列:SS8PH10 配置:Single Dual Anode 长度:6.15mm 高度:1.2mm |
| 整流二极管 | SS2P6HM3/84A | Vishay(威世) | 系列:eSMP® FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电压Vf:700mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100µA @ 60V 结电容Cj:80pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-220AA(SMP) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-220AA 正向电流If:2A 反向电压Vr:60 V 正向电压Vf:0.7 V 正向浪涌电流Ifsm:50 A |
| 整流二极管 | SS29-E3/52T | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:90V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:750mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:30µA @ 90V 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SMB (DO-214AA) 正向电流If:1.5 A 反向电压Vr:90 V 正向电压Vf:0.95 V at 3 A 正向浪涌电流Ifsm:75 A |
| 整流二极管 | SS3H10-E3/57T | Vishay(威世) | 系列:SS FET类型:肖特基 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20µA @ 100V 工作温度-结:-65°C ~ 175°C 正向电流If:3 A 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:0.8V 正向浪涌电流Ifsm:100 A |
| 整流二极管 | SS22-E3/52T | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:2A 正向电压Vf:500mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:400µA @ 20V 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度-结:-65°C ~ 125°C 封装/外壳:SMB (DO-214AA) 正向电流If:2 A 反向电压Vr:20 V 正向电压Vf:0.5 V 正向浪涌电流Ifsm:75 A |
| 整流二极管 | SS2P3-M3/84A | Vishay(威世) | 系列:eSMP® FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:550mV @ 2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150µA @ 30V 封装/外壳:DO-220AA(SMP) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | SS8P3CL-M3/86A | Vishay(威世) | 系列:eSMP® 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:4A 正向电压Vf:540mV @ 4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:300µA @ 30V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-277A(SMPC) 封装/外壳:SMPC (TO-277A) 正向电流If:8 A 反向电压Vr:30 V 正向电压Vf:0.54 V at 4 A 正向浪涌电流Ifsm:120 A |
| 整流二极管 | SS5P6-M3/86A | Vishay(威世) | 系列:eSMP® FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:5A 正向电压Vf:690mV @ 5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150µA @ 60V 结电容Cj:200pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:TO-277A(SMPC) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | SS32-E3/57T | Vishay(威世) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:3A 正向电压Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500µA @ 20V 封装/外壳:DO-214AB,(SMC) 工作温度-结:-55°C ~ 125°C |
| 整流二极管 | TZM5230B-GS08 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:4.7V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:19 Ohms 反向漏电流Ir:5µA @ 2V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 封装/外壳:SOD-80 MiniMELF 封装/外壳:SOD-80 齐纳电压Vz:4.7 V 功率耗散Pd:500 mW 稳压电流Izt:200 mA |
| 整流二极管 | TZM5259B-GS08 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:39V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:80 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 30V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:SOD-80 MiniMELF 封装/外壳:SOD-80 齐纳电压Vz:39 V 功率耗散Pd:500 mW 稳压电流Izt:200 mA |
| 整流二极管 | TZM5240B-GS08 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:10V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:17 Ohms 反向漏电流Ir:3µA @ 8V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 封装/外壳:SOD-80 MiniMELF 封装/外壳:SOD-80 齐纳电压Vz:10 V 功率耗散Pd:500 mW 稳压电流Izt:200 mA |
| 整流二极管 | TZMB11-GS08 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:11V 偏差:±2% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:20 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 8.2V 正向电压Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:SOD-80 MiniMELF 封装/外壳:SOD-80 齐纳电压Vz:11 V 功率耗散Pd:500 mW 稳压电流Izt:100 nA |
| 整流二极管 | TZM5252B-GS08 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:24V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:33 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 18V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 封装/外壳:SOD-80 MiniMELF 封装/外壳:SOD-80 齐纳电压Vz:24 V 功率耗散Pd:500 mW 稳压电流Izt:200 mA |
| 整流二极管 | TZM5265B-GS08 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:62V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:185 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 47V 正向电压Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:SOD-80 MiniMELF 封装/外壳:SOD-80 齐纳电压Vz:62 V 功率耗散Pd:500 mW 稳压电流Izt:200 mA |
| 整流二极管 | TZMB2V7-GS08 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:2.7V 偏差:±2% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:85 Ohms 反向漏电流Ir:10µA @ 1V 正向电压Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:SOD-80 MiniMELF 封装/外壳:SOD-80 齐纳电压Vz:2.7 V 功率耗散Pd:500 mW 稳压电流Izt:10 uA |
| 整流二极管 | TZM5248B-GS08 | Vishay(威世) | 偏差:±5% 反向漏电流Ir:100nA @ 14V 正向电压Vf:1.1V@200mA 齐纳电压Vz:18V 功率耗散Pd:500 mW 稳压电流Izt:200 mA |
| 整流二极管 | TZMC16-GS18 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101 齐纳电压Vz:16V 偏差:±5% 功率耗散Pd:500mW 齐纳阻抗Zz:40 Ohms 反向漏电流Ir:100nA @ 12V 正向电压Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 封装/外壳:SOD-80 MiniMELF 封装/外壳:SOD-80 齐纳电压Vz:16 V 功率耗散Pd:500 mW |