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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 整流二极管 | JAN1N5417 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/411 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.5V@9A 工作温度-结:-65°C ~ 175°C FET类型:标准 反向电压Vr:200V 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:150ns 反向漏电流Ir:1uA@200V 封装/外壳:轴向 | |
| 整流二极管 | BZT52B10-E3-18 | 封装/外壳:SOD-123 容差:±2% 齐纳电压Vz:10V 齐纳阻抗Zzt:5.2 Ohms 功率:410mW 反向漏电流Ir:100nA @ 7.5V 工作温度:-55℃`150℃ | |
| 整流二极管 | SURA8260T3G | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.45V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:5uA@600V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | UF5407-TP | FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.7V@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:10uA@800V 结电容Cj:50pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AD 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | VS-VSKJ56/08 | 反向电压Vr:800V 反向漏电流Ir:10mA 封装/外壳:ADD-A-PAK® 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:30A | |
| 整流二极管 | SMAZ7V5-TP | 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:2 Ohms 反向漏电流Ir:5uA@5V 正向电压Vf:1.2V@200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:DO-214AC(SMAJ) 封装/外壳:SMA 齐纳电压Vz:7.5V 功率耗散Pd:1W | |
| 整流二极管 | IDH09SG60CXKSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):2.1V @ 9A 不同Vr时电流-反向泄漏:80uA @ 600V 不同 Vr、F时电容:280pF @ 1V,1MHz 二极管类型:碳化硅肖特基 反向恢复时间(trr):0ns 封装/外壳:TO-220-2 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):600V 电流-平均整流(Io):9A(DC) 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) | |
| 整流二极管 | VS-SD1100C12C | 反向电压Vr:1200V 正向电压Vf:1.31V 反向漏电流Ir:35mA 封装/外壳:B-43,Hockey PUK 正向电流If:1400A | |
| 整流二极管 | USB260-M3/52T | 封装/外壳:DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm:90A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1.6V 反向漏电流Ir:5uA 反向恢复时间Trr:30ns 工作温度:-55℃~150℃ 结电容Cj:45pF@4V,1MHz | |
| 整流二极管 | MBR1045ULPS-TP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:470mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:250uA@45V 封装/外壳:TO-277B 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | S5D-E3/57T | 反向电压Vr:200V 正向电压Vf:1.15V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:DO-214AB 反向恢复时间Trr:2.5us 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:5A | |
| 整流二极管 | 1SS193,LF | 不同Vr、F时电容:3pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 产品状态:在售 封装/外壳:S-Mini 反向恢复时间Trr:4 ns 反向漏电流Ir:500 nA @ 80 V 反向电压Vr:80 V 工作温度-结:125°C(最大) 正向电压Vf:1.2 V @ 100 mA 正向电流If:100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | |
| 整流二极管 | BAW27-TAP | 反向电压Vr:60V 正向电压Vf:1.25V 反向漏电流Ir:100nA 封装/外壳:DO-35 反向恢复时间Trr:6ns 工作温度:175℃(最大) 正向电流If:600mA | |
| 整流二极管 | SBR15U100CTLQ-13 | 封装/外壳:TO-252 正向浪涌电流Ifsm:100A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V 正向电流If:7.5A 正向电压Vf:0.8V 反向漏电流Ir:80uA 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 整流二极管 | IDP45E60XKSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):2V @ 45A 不同Vr时电流-反向泄漏:50uA @ 600V 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):140ns 封装/外壳:TO-220-2 工作温度-结:-55°C ~ 175°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):600V 电流-平均整流(Io):71A(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | IDP12E120XKSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):2.15V @ 12A 不同Vr时电流-反向泄漏:100uA @ 1200V 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):150ns 封装/外壳:TO-220-2 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):1200V 电流-平均整流(Io):28A(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | NSR10F30NXT5G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:1A(DC) 正向电压Vf:470mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@30V 封装/外壳:2-DSN(1.4x0.6) 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | VS-UFB280FA40 | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.24V 反向漏电流Ir:50uA 封装/外壳:SOT-227 反向恢复时间Trr:93ns 正向电流If:170A | |
| 整流二极管 | AU3PM-M3/86A | 封装/外壳:TO-277A 正向浪涌电流Ifsm:45A 反向峰值电压Vrrm:1000V 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1.4A 正向电压Vf:2.5V 反向漏电流Ir:10uA 工作温度:-55℃~175℃ | |
| 整流二极管 | NSVBAT54HT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:800mV@100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:2uA@25V 结电容Cj:10pF @ 1V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | MBRB10100-E3/8W | 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:800mV 反向漏电流Ir:100uA 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-65℃~150℃ 正向电流If:10A | |
| 整流二极管 | B130-E3/61T | 反向电压Vr:30V 正向电压Vf:520mV 反向漏电流Ir:200uA 封装/外壳:DO-214AC 工作温度:-65℃~125℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | SS1200-LTP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:920mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@200V 结电容Cj:110pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度-结:-50°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | VS-40CPQ060-N3 | 封装/外壳:TO-247AC 正向浪涌电流Ifsm:3200A 反向峰值电压Vrrm:60V 反向电压Vr:60V 正向电流If:40A 正向电压Vf:0.68V 反向漏电流Ir:1.7mA 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 整流二极管 | VS-8EWX06FNTR-M3 | 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:3V 反向漏电流Ir:50uA 封装/外壳:TO-252AA 反向恢复时间Trr:17ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:8A | |
| 整流二极管 | JANTXV1N5622 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/427 FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V@3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:2µs 反向漏电流Ir:500nA@1000V 封装/外壳:A,轴向 工作温度-结:-65°C ~ 200°C | |
| 整流二极管 | MSE1PG-M3/89A | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:1uA 封装/外壳:DO-219AD 反向恢复时间Trr:780ns 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | 1N5626-TR | 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:1uA 封装/外壳:SOD-64 反向恢复时间Trr:7.5us 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:3A | |
| 整流二极管 | S2GHE3_A/I | 封装/外壳:DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm:50A 反向峰值电压Vrrm:400V 反向电压Vr:400V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1.15V 反向漏电流Ir:1uA 反向恢复时间Trr:2us 工作温度:-55℃~150℃ 结电容Cj:16pF@4V,1MHz | |
| 整流二极管模块 | DD600N16KHPSA3 | 不同If时电压-正向(Vf):1.32V @ 1800A 不同Vr时电流-反向泄漏:40mA @ 1600V 二极管类型:标准 二极管配置:1 对串联 封装/外壳:模块 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):1600V 电流-平均整流(Io)(每二极管):600A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | SE30AFG-M3/6B | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:DO-221AC 反向恢复时间Trr:1.5us 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:1.4A | |
| 整流二极管 | RGP10GE-E3/54 | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.3V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:DO-41 反向恢复时间Trr:150ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | S3DB-TP | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1.15V@3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10uA@200V 封装/外壳:DO-214AA(SMB) | |
| 整流二极管 | JAN1N3023B-1 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/115 偏差:±5% 齐纳阻抗Zz:10 Ohms 反向漏电流Ir:10uA@9.9V 正向电压Vf:1.2V@200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 齐纳电压Vz:13V 功率耗散Pd:1W | |
| 整流桥 | DB3S314F0L | ||
| 整流二极管 | BAV99DW-TP | 配置:2 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:150mA 正向电压Vf:1.25V@150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:4ns 反向漏电流Ir:2.5uA@75V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-363 | |
| 整流二极管 | SS110E-TP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:850mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@100V 结电容Cj:30pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SMAE 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | VS-HFA240NJ40CPBF | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.5V 反向漏电流Ir:5nA 封装/外壳:TO-244AB 反向恢复时间Trr:120ns 正向电流If:240A | |
| 整流桥 | BAS21TMR6T1G | ||
| 整流二极管 | SBAT54CLT1G | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:800mV@100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:2uA@25V 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 整流二极管 | US1A-TP | FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:10uA@50V 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | S4PM-M3/86A | 反向电压Vr:1000V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:TO-277A 反向恢复时间Trr:2.5us 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:4A | |
| 整流二极管模块 | BAS70W-04Q-7-F | ||
| 整流二极管 | US1GHE3_A/H | 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:30A 反向峰值电压Vrrm:400V 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:10uA 反向恢复时间Trr:50ns 工作温度:-55℃~150℃ 结电容Cj:15pF@4V,1MHz | |
| 整流二极管 | SURA8110T3G | FET类型:标准 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:875mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:2uA@100V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | BAV23C-E3-08 | 反向电压Vr:200V 正向电压Vf:1.25V 反向漏电流Ir:100nA 封装/外壳:SOT-23 反向恢复时间Trr:50ns 工作温度:150℃(最大) 正向电流If:200mA | |
| 整流二极管 | V8P10-M3/87A | 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:680mV 反向漏电流Ir:70uA 封装/外壳:TO-277A 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:8A | |
| 整流二极管 | VS-8EWS08STR-M3 | 反向电压Vr:800V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:50uA 封装/外壳:TO-252AA 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:8A | |
| 整流二极管 | VS-301CNQ045PBF | 反向电压Vr:45V 正向电压Vf:900mV 反向漏电流Ir:10mA 封装/外壳:TO-244AB 正向电流If:300A | |
| 整流二极管 | S1D-E3/5AT | 反向电压Vr:200V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:1uA 封装/外壳:DO-214AC 反向恢复时间Trr:1.8us 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | MMSZ4693T1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 反向漏电流Ir:10uA@5.7V 正向电压Vf:900mV@10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOD-123 齐纳电压Vz:7.5V 功率耗散Pd:500mW | |
| 整流二极管 | US1GHE3_A/I | 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:30A 反向峰值电压Vrrm:400V 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:10uA 反向恢复时间Trr:50ns 工作温度:-55℃~150℃ 结电容Cj:15pF@4V,1MHz | |
| 整流二极管模块 | MMBD3004CQ-7-F | ||
| 整流二极管 | SS2003M-TL-W | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:400mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:1.25mA@15V 结电容Cj:75pF @ 10V,1MHz 封装/外壳:6-MCPH 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管 | UD1006FR-H | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.3V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:150ns 反向漏电流Ir:100uA@600V 封装/外壳:TO-220-2 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | MBRM110LT3G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:10V 正向电流If:1A 正向电压Vf:365mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@10V 封装/外壳:Powermite 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管 | 1N5399-E3/54 | 反向电压Vr:1000V 正向电压Vf:1.4V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:DO-41 反向恢复时间Trr:2us 工作温度:-50℃~150℃ 正向电流If:1.5A | |
| 整流二极管 | RB521G-30-TP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:100mA 正向电压Vf:350mV@10mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:10uA@10V 封装/外壳:SOD-723 工作温度-结:125°C(最大) | |
| 整流二极管 | MBRAF440T3G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:4A 正向电压Vf:485mV@4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:300uA@40V 封装/外壳:SMA-FL 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | SDM1L30CSP-7 | 封装/外壳:X2-WLB2010-2 反向漏电流Ir:1mA 反向电压Vr:30V 工作温度-结:-55℃~150℃ 正向电压Vf:400mV 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | MBR120ESFT3G | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:1A 正向电压Vf:530mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10uA@20V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-65°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | BAW56M3T5G | 配置:1 对共阳极 FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:1.25V@150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向漏电流Ir:2.5uA@70V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-723 反向电压Vr:70V 反向恢复时间trr:6ns 反向漏电流Ir:2.5uA 正向电压Vf:1V | |
| 整流二极管 | VS-20ETS12STRL-M3 | 反向电压Vr:1200V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:100uA 封装/外壳:TO-263 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:20A | |
| 整流二极管 | SBR2A40P1Q-7 | 封装/外壳:PowerDI™ 123 反向漏电流Ir:100uA 反向电压Vr:40V 工作温度-结:-65℃~150℃ 正向电压Vf:500mV 正向电流If:2A | |
| 整流二极管 | CRS15I30B(TE85L,QM | 不同Vr、F时电容:82pF @ 10V,1MHz 二极管类型:肖特基 产品状态:在售 封装/外壳:S-FLAT(1.6x3.5) 反向漏电流Ir:100 uA @ 30 V 反向电压Vr:30 V 工作温度-结:150°C(最大) 正向电压Vf:400 mV @ 1.5 A 正向电流If:1.5A 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | BAT5402VH6327XTSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):800mV @ 100mA 不同Vr时电流-反向泄漏:2uA @ 25V 不同 Vr、F时电容:10pF @ 1V,1MHz 二极管类型:肖特基 反向恢复时间(trr):5ns 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 电流-平均整流(Io):200mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | |
| 整流二极管 | MBR40L60CTG | 系列:SWITCHMODE™ 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 正向电流If:20A 正向电压Vf:610mV@20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:550uA@60V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:50 正向电流If:40A 反向电压Vr:60V 正向电压Vf:0.81V | |
| 整流二极管 | DSSK20-0045B | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:510mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5mA@45V 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220AB | |
| 整流桥 | VS-40CPQ100-N3 | 封装/外壳:TO-247-3 反向漏电流Ir:1.25mA@100V 反向电压Vr:100V 工作温度:175°C(最大) 正向电压Vf:910mV@40A | |
| 整流二极管 | SBYV26C-E3/54 | 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:2.5V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:DO-41 反向恢复时间Trr:30ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管模块 | SBR40U100CTE | 二极管类型:超级势垒 二极管配置:1 对共阴极 封装/外壳:TO-262 反向漏电流Ir:500uA 反向电压Vr:100V 工作温度-结:-65℃~150℃ 正向电压Vf:780mV 正向电流If:20A | |
| 整流二极管 | BAT5405E6327HTSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):800mV @ 100mA 不同Vr时电流-反向泄漏:2uA @ 25V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对共阴极 反向恢复时间(trr):5ns 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 电流-平均整流(Io)(每二极管):200mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | |
| 整流二极管 | 1N5400-TP | FET类型:标准 反向电压Vr:50V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1V@3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5uA@50V 封装/外壳:DO-201AD 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | DA2JF8100L | ||
| 整流二极管 | MSE1PB-M3/89A | 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:1uA 封装/外壳:DO-219AD 反向恢复时间Trr:780ns 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | IDP08E65D1XKSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):1.7V @ 8A 不同Vr时电流-反向泄漏:40uA @ 650V 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):80ns 封装/外壳:TO-220-2 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):650V 电流-平均整流(Io):8A 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | VS-403CNQ100PBF | 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:840mV 反向漏电流Ir:6mA 封装/外壳:TO-244AB 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:200A | |
| 整流二极管 | BAT6402VH6327XTSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):750mV @ 100mA 不同Vr时电流-反向泄漏:2uA @ 30V 不同 Vr、F时电容:6pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 反向恢复时间(trr):5ns 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):40V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | RL204-TP | FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1V@2A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5uA@400V 结电容Cj:20pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-15 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | SS10PH45HM3_A/I | 反向电压Vr:45V 正向电压Vf:720mV 反向漏电流Ir:80uA 封装/外壳:TO-277A 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:10A | |
| 整流二极管 | VS-T40HF60 | 反向电压Vr:600V 反向漏电流Ir:15mA 封装/外壳:D-55 正向电流If:40A | |
| 整流二极管 | BYS10-45-E3/TR3 | 反向电压Vr:45V 正向电压Vf:500mV 反向漏电流Ir:500uA 封装/外壳:DO-214AC 工作温度:-65℃~150℃ 正向电流If:1.5A | |
| 整流二极管 | S10D-TP | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.2V@10A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:10uA@200V 结电容Cj:190pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AB,(SMC) 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | 1N6481-E3/96 | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.1V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:DO-213AB 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:1A | |
| 整流二极管 | US1MHE3_A/H | 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:30A 反向峰值电压Vrrm:1000V 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V 反向漏电流Ir:10uA 反向恢复时间Trr:75ns 工作温度:-55℃~150℃ 结电容Cj:10pF@4V,1MHz | |
| 整流二极管 | SD101CWS-TP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:15mA(DC) 正向电压Vf:900mV@15mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:1ns 反向漏电流Ir:200nA@30V 结电容Cj:2.2pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:SOD-323 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管 | SBRT25U80SLP-13 | 系列:TrenchSBR FET类型:超级势垒 反向电压Vr:80V 正向电流If:25A 正向电压Vf:610mV@25A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@80V 封装/外壳:PowerDI5060-8 工作温度-结:-55°C ~ 150°C | |
| 整流二极管 | SS2150-LTP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:2A 正向电压Vf:900mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@150V 结电容Cj:170pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管模块 | SBRT40V100CT | 二极管类型:超级势垒 二极管配置:1 对共阴极 封装/外壳:TO-220-3 反向漏电流Ir:300uA 反向电压Vr:100V 工作温度-结:-55℃~150℃ 正向电压Vf:730mV 正向电流If:20A | |
| 整流二极管 | VS-85HF100 | 反向电压Vr:1000V 正向电压Vf:1.2V 反向漏电流Ir:9mA 封装/外壳:DO-203AB 工作温度:-65℃~180℃ 正向电流If:85A | |
| 整流二极管 | NRVB140SFT1G | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:1A 正向电压Vf:550mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@40V 封装/外壳:SOD-123FL 工作温度-结:-55°C ~ 125°C | |
| 整流二极管 | CUS521,H3F | 不同Vr、F时电容:26pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 产品状态:在售 封装/外壳:USC 反向漏电流Ir:30 uA @ 30 V 反向电压Vr:30 V 工作温度-结:125°C(最大) 正向电压Vf:500 mV @ 200 mA 正向电流If:200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | |
| 整流二极管 | SBRT15U100SP5-7 | 封装/外壳:PowerDI™ 5 反向漏电流Ir:200uA 反向电压Vr:100V 工作温度-结:-65℃~150℃ 正向电压Vf:700mV 正向电流If:15A | |
| 整流二极管 | BAT54SWT-TP | 配置:1 对串联 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:200mA(DC) 正向电压Vf:1V@100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间trr:5ns 反向漏电流Ir:2uA@25V 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-323 | |
| 整流二极管 | VS-2EFH02HM3/I | 封装/外壳:DO-219AB 正向浪涌电流Ifsm:50A 反向峰值电压Vrrm:200V 反向电压Vr:200V 正向电流If:2A 正向电压Vf:0.95V 反向漏电流Ir:2uA 反向恢复时间Trr:16ns 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 整流二极管 | MUH1PB-M3/89A | 封装/外壳:DO-219AD 正向浪涌电流Ifsm:10A 反向峰值电压Vrrm:100V 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.05V 反向漏电流Ir:1uA 反向恢复时间Trr:40ns 工作温度:-55℃~175℃ | |
| 整流二极管模块 | DD260N12KHPSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):1.32V @ 800A 不同Vr时电流-反向泄漏:30mA @ 1200V 二极管类型:标准 二极管配置:1 对串联 封装/外壳:模块 工作温度-结:-40°C ~ 150°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):1200V 电流-平均整流(Io)(每二极管):260A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | BAW79DH6327XTSA1 | 不同If时电压-正向(Vf):1.6V @ 1A 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 400V 二极管类型:标准 二极管配置:1 对共阴极 反向恢复时间(trr):1us 封装/外壳:TO-243AA 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):400V 电流-平均整流(Io)(每二极管):500mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) | |
| 整流二极管 | SBRT20U60SP5-7D | 封装/外壳:PowerDI™ 5 反向漏电流Ir:180uA 反向电压Vr:60V 工作温度-结:-55℃~150℃ 正向电压Vf:570mV 正向电流If:20A | |
| 整流二极管 | SBRT20U60SP5-7 | 封装/外壳:PowerDI™ 5 反向漏电流Ir:180uA 反向电压Vr:60V 工作温度-结:-55℃~150℃ 正向电压Vf:570mV 正向电流If:20A |