| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | ZXMN6A25DN8TA |
| 说明 | 功率MOSFET SOIC |
| 品牌 | Diodes(达尔（美台）) |
| 起订量 | 500 |
| 最小包 | 500 |
| 现货 | 1243 [库存更新时间：2025-04-02] |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@3.6A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA(最小) |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20.4nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1063pF @ 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOIC |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 5A |
IC普拉斯 元器件现货
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