参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | ZXMN6A08E6QTA |
说明 | 功率MOSFET SOT-26-6 |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6243 [库存更新时间:2025-04-02] |
连续漏极电流Id | 2.5A |
Pd-功率耗散(Max) | 8.8W |
Qg-栅极电荷 | 5.8nC |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 150mΩ |
漏源极电压Vds | 60V |
栅极电压Vgs | 1V |
上升时间 | 2.1ns |
下降时间 | 4.6ns |
典型关闭延迟时间 | 12.3ns |
典型接通延迟时间 | 2.6ns |
封装/外壳 | SOT-26-6 |
正向跨导 - 最小值 | 6.6S |
系列 | ZXMN6 |
通道数量 | 1Channel |
配置 | Single |
工作温度 | -55°C~150°C |