| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | ZXMN6A09DN8TA |
| 说明 | 功率MOSFET SOIC |
| 品牌 | Diodes(达尔（美台）) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 174 [库存更新时间：2025-04-02] |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@8.2A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 24.2nC @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1407pF @ 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOIC |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 5.6A |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsZXMN6A09DN8TA
咨询热线：13172425630
产品概述
相关产品