参数	值
产品	未分类
型号编码	ZXMHC3A01T8TA
说明	未分类   SM 6.7mm 6.7x3.7x1.6mm
品牌	DiodesZetex
起订量	0
最小包	0
现货	136 [库存更新时间：2025-04-09]
FET类型	N,P
连续漏极电流Id	1.8 A,3.1 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	180 m0hms、330 m0hms
栅极电压Vgs	3V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SM
引脚数目	8
晶体管配置	全桥
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1.7W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	4
长度	6.7mm
高度	1.6mm
宽度	3.7mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	190 pF@ 25 V, 204 pF@ -15 V
典型关断延迟时间	6.6 ns, 12.1 ns
典型接通延迟时间	1.2 ns、1.7 ns
封装/外壳	6.7 x 3.7 x 1.6mm