ZXMHC6A07N8TC

DiodesZetex · 未分类

型号参数与资料

型号
ZXMHC6A07N8TC
品牌
DiodesZetex
类别
未分类
FET类型N,P
连续漏极电流Id1.4 A,1.8 A
漏源极电压Vds60V
Rds On(Max)@Id,Vgs350 m0hms
栅极电压Vgs3V
栅极电压Vgs-20 V、+20 V
封装/外壳SOIC
晶体管配置全桥
引脚数目8
FET类型增强
类别功率 MOSFET
功率1.36 W
典型接通延迟时间1.6 ns、1.8 ns
典型关断延迟时间4.9 ns, 5.8 ns
漏源极电压Vds141 pF@ -50 V, 166 pF@ 40 V
晶体管材料Si
宽度4mm
最低工作温度-55 °C
最高工作温度+150 °C
长度5mm
高度1.50mm
封装/外壳5 x 4 x 1.5mm
每片芯片元件数目4

未分类   SOIC 5mm 5x4x1.5mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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