参数	值
产品	未分类
型号编码	ZXMHC10A07N8TC
说明	未分类   SOIC 5mm 5x4x1.5mm
品牌	DiodesZetex
起订量	0
最小包	0
现货	136 [库存更新时间：2025-04-09]
FET类型	N,P
连续漏极电流Id	1 A,850 mA
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.45 0hms、900 m0hms
栅极电压Vgs	4V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOIC
引脚数目	8
晶体管配置	全桥
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1.36 W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	4
长度	5mm
高度	1.50mm
宽度	4mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	138 pF@ 60 V, 141 pF@ -50 V
典型关断延迟时间	4.1 ns, 5.9 ns
典型接通延迟时间	1.6 ns、1.8 ns
封装/外壳	5 x 4 x 1.5mm