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    未分类 ZXTR2012Z-7 DiodesZetex 输出电压:13.2 V 最大输出电流:47mA 封装/外壳:SOT-89 输出类型:固定 最小输入电压:15 V 最大输入电压:100 V 引脚数目:3 功率:1.7W 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 输出数目:1 Ohms 极性:正极 典型压差电压@电流:3 V @ 47 mA 系列:ZXTR 静态电流:900µA 负荷调节:-750 mV 线路调节:750 mV 长度:4.6mm 高度:1.6mm 压差电压测量电流:47 mA 宽度:2.6mm 精确度:±10% 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm
    未分类 ZXTR2012Z-13 DiodesZetex 输出电压:13.2 V 最大输出电流:47mA 封装/外壳:SOT-89 输出类型:固定 最小输入电压:15 V 最大输入电压:100 V 引脚数目:3 功率:1.7W 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 输出数目:1 Ohms 极性:正极 系列:ZXTR 静态电流:900µA 负荷调节:-750 mV 线路调节:750 mV 长度:4.6mm 高度:1.6mm 宽度:2.6mm 精确度:±10% 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm
    未分类 ZXTR2012P5-13 DiodesZetex 输出电压:13.2 V 最大输出电流:50mA 封装/外壳:PowerDI 5 输出类型:固定 最小输入电压:15 V 最大输入电压:100 V 引脚数目:3 功率:1.82W 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 输出数目:1 Ohms 极性:正极 系列:ZXTR 静态电流:900µA 负荷调节:-750 mV 线路调节:750 mV 长度:5.45mm 高度:1.10mm 宽度:4.05mm 精确度:±10% 封装/外壳:5.45 x 4.05 x 1.1 (with Pin)mm
    未分类 ZXTR2012K-13 DiodesZetex 输出电压:12 V 最大输出电流:60mA 封装/外壳:TO-252 输出类型:固定 最小输入电压:15 V 最大输入电压:100 V 引脚数目:3 功率:2.3W 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 输出数目:1 Ohms 极性:正极 系列:ZXTR 静态电流:900µA 负荷调节:-750 mV 线路调节:750 mV 长度:6.7mm 高度:2.26mm 宽度:6.2mm 精确度:±10% 封装/外壳:6.7 x 6.2 x 2.26mm
    未分类 ZXTR2008K-13 DiodesZetex 输出电压:8.2 V 最大输出电流:55mA 封装/外壳:TO-252 输出类型:固定 最小输入电压:12 V 最大输入电压:100 V 引脚数目:3 功率:2.3W 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 输出数目:1 Ohms 极性:正极 宽度:6.2mm 系列:ZXTR 静态电流:900µA 负荷调节:-400 mV 线路调节:300 mV 长度:6.7mm 高度:2.26mm 精确度:±10% 封装/外壳:6.7 x 6.2 x 2.26mm
    未分类 ZXTR2005Z-7 DiodesZetex 输出电压:5 V 最大输出电流:38mA 封装/外壳:SOT-89 输出类型:固定 最小输入电压:10 V 最大输入电压:100 V 引脚数目:3 功率:1.7W 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 输出数目:1 Ohms 极性:正极 系列:ZXTR 静态电流:900µA 负荷调节:-400 mV 线路调节:300 mV 长度:4.6mm 高度:1.6mm 宽度:2.6mm 精确度:±10% 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm
    未分类 ZXTR2005Z-13 DiodesZetex 输出电压:5 V 最大输出电流:38mA 封装/外壳:SOT-89 输出类型:固定 最小输入电压:10 V 最大输入电压:100 V 引脚数目:3 功率:1.7W 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 输出数目:1 Ohms 极性:正极 系列:ZXTR 静态电流:900µA 负荷调节:-400 mV 线路调节:300 mV 长度:4.6mm 高度:1.6mm 宽度:2.6mm 精确度:±10% 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm
    未分类 ZXTR2005K-13 DiodesZetex 输出电压:5.5 V 最大输出电流:50mA 封装/外壳:TO-252 输出类型:固定 最小输入电压:10 V 最大输入电压:100 V 引脚数目:3 功率:2.3W 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 输出数目:1 Ohms 极性:正极 系列:ZXTR 静态电流:900µA 负荷调节:-400 mV 线路调节:300 mV 长度:6.7mm 高度:2.26mm 宽度:6.2mm 精确度:±10% 封装/外壳:6.7 x 6.2 x 2.26mm
    未分类 ZXTR1005PD8-13 DiodesZetex 输出电压:5.1 V 最大输出电流:50mA 封装/外壳:POWERDI5060 输出类型:固定 最小输入电压:10 V 最大输入电压:100 V 引脚数目:8 功率:1.84W 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+125 °C 输出数目:1 Ohms 极性:正极 系列:ZXTR 静态电流:900µA 负荷调节:50 mV 线路调节:10 mV 长度:5.1mm 高度:1mm 宽度:6mm 精确度:±2% 封装/外壳:5.1 x 6 x 1mm
    未分类 ZXTR1005K4-13 DiodesZetex 输出电压:5.1 V 最大输出电流:50mA 封装/外壳:TO-252 输出类型:固定 最小输入电压:10 V 最大输入电压:100 V 引脚数目:3 功率:2.3W 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+125 °C 输出数目:1 Ohms 极性:正极 典型压差电压@电流:5 V @ 50 mA 系列:ZXTR 静态电流:900µA 负荷调节:50 mV 线路调节:10 mV 长度:6.7mm 高度:2.26mm 压差电压测量电流:50 mA 宽度:6.2mm 精确度:±2% 封装/外壳:6.7 x 6.2 x 2.26mm
    未分类 ZXTP717MATA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:4.5 A 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:DFN-2020B 功率:2.45 W 最小直流电流增益:475 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-20 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:110 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:2.075 x 2.075 x 0.58mm 高度:0.58mm 最大集电极-发射极饱和电压:-310 mV 最大基极-发射极饱和电压:-1.07 V 最低工作温度:-55 °C 宽度:2.075mm 最高工作温度:+150 °C 长度:2.08mm
    未分类 ZXTP5401GTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:600 mA 最大集电极-发射极电压:150 V 封装/外壳:SOT-223 功率:2W 最小直流电流增益:50 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-160 V 最大发射极-基极电压:-5 V 最大工作频率:100 MHz 引脚数目:3 + Tab 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.5 V 最大基极-发射极饱和电压:-1 V 长度:6.7mm 宽度:3.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.65mm 高度:1.65mm
    未分类 ZXTP5401FLTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:600 mA 最大集电极-发射极电压:150 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1/3W 最小直流电流增益:50 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-160 V 最大发射极-基极电压:-5 V 最大工作频率:100 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 最低工作温度:-55 °C 高度:1.02mm 长度:3.04mm 最大集电极-发射极饱和电压:-0.5 V 宽度:1.4mm 最高工作温度:+150 °C 最大基极-发射极饱和电压:-1 V
    未分类 ZXTP25100CZTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:1 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-89 功率:15.7 W 最小直流电流增益:20 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-115 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:180 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.225 V 最大基极-发射极饱和电压:-0.95 V 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTP25100CFHTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:1 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.81W 最小直流电流增益:20 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-115 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:180 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.22 V 最大基极-发射极饱和电压:-0.95 V 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXTP25100BFHTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:2 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.81W 最小直流电流增益:15 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-140 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:200 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.295 V 最大基极-发射极饱和电压:-1 V 长度:3.05mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.05 x 1.4 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTP25040DFLTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:1.5 A 最大集电极-发射极电压:40 V 封装/外壳:SOT-23 功率:7/20W 最小直流电流增益:15 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-45 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:270 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.3 V 最大基极-发射极饱和电压:-1 V 长度:3mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3 x 1.4 x 1.1mm 高度:1.10mm
    未分类 ZXTP25040DFHTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:3 A 最大集电极-发射极电压:40 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.81W 最小直流电流增益:30 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-45 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:270 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.22 V 最高工作温度:+150 °C 最大基极-发射极饱和电压:-1 V 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXTP25020DZTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:5 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-89 功率:15.7 W 最小直流电流增益:45 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-25 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:290 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.265 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.1 V 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTP25020DGTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:6 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-223 功率:7.8 W 最小直流电流增益:25 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-25 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:290 MHz 引脚数目:3 + Tab 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.355 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.15 V 长度:6.7mm 宽度:3.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.65mm 高度:1.65mm
    未分类 ZXTP25020DFLTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:1.5 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-23 功率:7/20W 最小直流电流增益:60 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-25 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:290 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.26 V 最大基极-发射极饱和电压:-0.95 V 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXTP25020DFHTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:4 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.81W 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-25 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:290 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.18 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.05 V 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXTP25020CFHTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:4 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.81W 最小直流电流增益:85 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-25 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:285 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.21 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.05 V 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXTP23015CFHTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:6 A 最大集电极-发射极电压:15 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.81W 最小直流电流增益:140 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-15 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:270 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-190 mV 最大基极-发射极饱和电压:-1.03 V 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXTP2041FTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:1 A 最大集电极-发射极电压:40 V 封装/外壳:SOT-23 功率:7/20W 最小直流电流增益:30 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-40 V 最大发射极-基极电压:-5 V 最大工作频率:300 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.5 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.1 V 长度:3mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3 x 1.4 x 1.1mm 高度:1.10mm
    未分类 ZXTP2029FTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:3 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.56 W 最小直流电流增益:40 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:130 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:150 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最大集电极-发射极饱和电压:0.25 V 长度:3.05mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 高度:1mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:1 x 3.05 x 1.4mm 最大基极-发射极饱和电压:1 V
    未分类 ZXTP2027FTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:4 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.56 W 最小直流电流增益:20 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-100 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:165 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-240 mV 最大基极-发射极饱和电压:-1 V 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXTP2014ZTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:3 A 最大集电极-发射极电压:140 V 封装/外壳:SOT-89 功率:2.1W 最小直流电流增益:45 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-180 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:120 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.33 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.01 V 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTP2013GTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:5 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-223 功率:1.6W 最小直流电流增益:15 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-140 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:125 MHz 引脚数目:3 + Tab 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.34 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.1 V 长度:6.7mm 宽度:3.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.7mm 高度:1.7mm
    未分类 ZXTP2012ZTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:4.3 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-89 功率:2.1W 最小直流电流增益:10 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-100 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:120 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.215 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.05 V 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTP2012ASTZ DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:3.5 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:E-Line 功率:5.7 W 最小直流电流增益:10 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-100 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:120 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:2.41mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.21 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.06 V 长度:4.77mm 封装/外壳:4.77 x 2.41 x 4.01mm 高度:4.01mm
    未分类 ZXTP2009ZTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:5.5 A 最大集电极-发射极电压:40 V 封装/外壳:SOT-89 功率:3W 最小直流电流增益:110 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-50 V 最大发射极-基极电压:-7.5 V 最大工作频率:152 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:2.6mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.185 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.075 V 长度:4.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTP2008ZTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:5.5 A 最大集电极-发射极电压:30 V 封装/外壳:SOT-89 功率:2.1W 最小直流电流增益:10 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-50 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:110 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.175 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.07 V 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTP19100CGTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:2 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-223 功率:10.2 W 最小直流电流增益:20 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-110 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:142 MHz 引脚数目:3 + Tab 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:3.7mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.295 V 最大基极-发射极饱和电压:-1 V 长度:6.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.65mm 高度:1.65mm
    未分类 ZXTP19060CZTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:4.5 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-89 功率:26.7 W 最小直流电流增益:25 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-60 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:180 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.41 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.05 V 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTP19060CGTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:5 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-223 功率:10.2 W 最小直流电流增益:20 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-60 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:180 MHz 引脚数目:3 + Tab 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:3.7mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.5 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.05 V 长度:6.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.65mm 高度:1.65mm
    未分类 ZXTP19060CFFTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:4 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-23F 功率:2W 最小直流电流增益:30 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-60 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:180 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.27 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.05 V 长度:3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTP19020DZTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:6 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-89 功率:26.7 W 最小直流电流增益:65 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-25 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:176 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.275 V 最大基极-发射极饱和电压:-1.1 V 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTP19020DFFTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:5.5 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-23F 功率:2W 最小直流电流增益:300 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-25 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:176 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:1.7mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-44 mV 最大基极-发射极饱和电压:-1050 mV 长度:3mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTP19020CFFTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:5 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-23F 功率:2W 最小直流电流增益:110 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-25 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:200 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.135 V 最高工作温度:+150 °C 最大基极-发射极饱和电压:-1.05 V 长度:3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTP08400BFFTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:200 mA 最大集电极-发射极电压:400 V 封装/外壳:SOT-23F 功率:2W 最小直流电流增益:100 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-400 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:70 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-190 mV 最大基极-发射极饱和电压:-900 mV 长度:3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTP07012EFFTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:4 A 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-23F 功率:2W 最小直流电流增益:150 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-12 V 最大发射极-基极电压:-7 V 最大工作频率:250 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最大集电极-发射极饱和电压:-0.35 V 最高工作温度:+150 °C 最大基极-发射极饱和电压:-1.05 V 长度:3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTP05120HFFTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大连续集电极电流:-1 A 最大集电极-发射极电压:120 V 最大发射极-基极电压:-10 V 封装/外壳:SOT-23F 引脚数目:3 晶体管配置:单 每片芯片元件数目:2 最小直流电流增益:2000 最大基极-发射极饱和电压:-1.7 V 最大集电极-基极电压:-140 V 最大集电极-发射极饱和电压:-2 V 最大集电极-基极截止电流:-0.01mA 最低工作温度:-55 °C 功率:2W 最高工作温度:+150 °C 长度:3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN619MATA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:4.3 A 最大集电极-发射极电压:50 V 封装/外壳:DFN-2020B 功率:2.45 W 最小直流电流增益:100 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:100 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:165 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:320 mV 最大基极-发射极饱和电压:1.07 V 长度:2.08mm 宽度:2.075mm 封装/外壳:2.075 x 2.075 x 0.58mm 高度:0.58mm
    未分类 ZXTN618MATA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:5 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:DFN - 2020 B 功率:1.5W 最小直流电流增益:100 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:40 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:100 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:300 mV 最大基极-发射极饱和电压:1.07 V 长度:2.07mm 宽度:0.58mm 封装/外壳:2.07 x 0.58 x 2.07mm
    未分类 ZXTN4006ZTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:1 A 最大集电极-发射极电压:200 V 封装/外壳:SOT-89 功率:1.5W 最小直流电流增益:60 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:7 V 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm 最低工作温度:-55 °C 宽度:2.6mm 最高工作温度:+150 °C 长度:4.6mm
    未分类 ZXTN4004KTC DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:1 A 最大集电极-发射极电压:150 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 功率:3.8W 最小直流电流增益:60 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:7 V 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:6.7 x 2.39 x 6.2mm 高度:6.2mm 最低工作温度:-55 °C 宽度:2.39mm 最高工作温度:+150 °C 长度:6.7mm
    未分类 ZXTN4000ZTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:1 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-89 功率:1.5W 最小直流电流增益:60 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:7 V 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm 最低工作温度:-55 °C 宽度:2.6mm 最高工作温度:+150 °C 长度:4.6mm
    未分类 ZXTN25100DGTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:3 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-223 功率:1.2W 最小直流电流增益:900 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:180 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:175 MHz 引脚数目:3 + Tab 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:500 mV 最大基极-发射极饱和电压:1100 mV 长度:6.7mm 宽度:3.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.65mm 高度:1.65mm
    未分类 ZXTN25100BFHTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:3 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.81W 最小直流电流增益:50 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:170 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:160 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:250 mV 最大基极-发射极饱和电压:1050 mV 长度:3.05mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.05 x 1.4 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN25060BZTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:5 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-89 功率:1.1W 最小直流电流增益:300 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:150 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:185 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:305 mV 最大基极-发射极饱和电压:1100 mV 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTN25040DFLTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:1.5 A 最大集电极-发射极电压:40 V 封装/外壳:SOT-23 功率:7/20W 最小直流电流增益:25 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:130 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:190 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:1.4mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:285 mV 最大基极-发射极饱和电压:950 mV 长度:3.04mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXTN25040DFHTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:4 A 最大集电极-发射极电压:40 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.81W 最小直流电流增益:30 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:130 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:190 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:210 mV 最大基极-发射极饱和电压:1050 mV 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXTN25020DFLTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:2 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-23 功率:7/20W 最小直流电流增益:80 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:100 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:215 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:270 mV 最大基极-发射极饱和电压:1000 mV 长度:3.05mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.05 x 1.4 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN25020DFHTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:4.5 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.81W 最小直流电流增益:15 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:100 V 最大发射极-基极电压:7 V 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:265 mV 最大基极-发射极饱和电压:1000 mV 长度:3.05mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.05 x 1.4 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN25012EZTA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:6.5 A 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-89 功率:1.1W 最小直流电流增益:30 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:100 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:270 mV 最大基极-发射极饱和电压:1050 mV 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTN25012EFLTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:2 A 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-23 功率:7/20W 最小直流电流增益:30 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:7 V 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:300 mV 最大基极-发射极饱和电压:950 mV 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXTN25012EFHTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:6 A 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.81W 最小直流电流增益:40 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:20 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:260 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最大基极-发射极饱和电压:1000 mV 宽度:1.4mm 长度:3.04mm 最大集电极-发射极饱和电压:190 mV 高度:1.02mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 最高工作温度:+150 °C
    未分类 ZXTN2038FTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:1 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-23 功率:7/20W 最小直流电流增益:30 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:80 V 最大发射极-基极电压:5 V 最大工作频率:150 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:1.4mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.5 V 最大基极-发射极饱和电压:1.1 V 长度:3.04mm 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXTN2031FTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:5 A 最大集电极-发射极电压:50 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.56 W 最小直流电流增益:80 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:80 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:125 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:1.4mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:170 mV 最大基极-发射极饱和电压:1 V 长度:3.05mm 封装/外壳:3.05 x 1.4 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN2020FTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:4 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.56 W 最小直流电流增益:35 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:160 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:130 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.15 V 最大基极-发射极饱和电压:1.05 V 长度:3.05mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:1 x 3.05 x 1.4mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN2018FTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:5 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.56 W 最小直流电流增益:15 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:140 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:130 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:1.4mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:210 mV 最大基极-发射极饱和电压:1 V 长度:3.05mm 封装/外壳:3.05 x 1.4 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN2011ZTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:4.5 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-89 功率:1.5W 最小直流电流增益:300 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:200 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:130 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:195 mV 最大基极-发射极饱和电压:1100 mV 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTN2011GTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:6 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-223 功率:3W 最小直流电流增益:100 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:200 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:130 MHz 引脚数目:3 + Tab 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:220 mV 最大基极-发射极饱和电压:1120 mV 长度:6.7mm 宽度:3.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.7mm 高度:1.7mm
    未分类 ZXTN2010ZTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:5 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-89 功率:2.1W 最小直流电流增益:20 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:150 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:130 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 宽度:2.6mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:230 mV 最大基极-发射极饱和电压:1100 mV 长度:4.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTN2010GTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:6 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-223 功率:3000 mW 最小直流电流增益:20 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:150 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:130 MHz 引脚数目:3 + Tab 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.26 V 最大基极-发射极饱和电压:1.1 V 长度:6.7mm 宽度:3.7mm 封装/外壳:1.65 x 6.7 x 3.7mm 高度:1.65mm
    未分类 ZXTN19100CZTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:5.25 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-89 功率:26.6 W 最小直流电流增益:130 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:200 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:150 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.35 V 最高工作温度:+150 °C 最大基极-发射极饱和电压:1.075 V 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTN19100CGTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:5.5 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-223 功率:10.2 W 最小直流电流增益:130 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:200 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:150 MHz 引脚数目:3 + Tab 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.43 V 最大基极-发射极饱和电压:1.1 V 长度:6.7mm 宽度:3.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.65mm 高度:1.65mm
    未分类 ZXTN19100CFFTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:4.5 A 最大集电极-发射极电压:100 V 封装/外壳:SOT-23F 功率:2W 最小直流电流增益:130 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:200 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:150 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.235 V 最大基极-发射极饱和电压:1.05 V 长度:3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN19060CFFTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:5.5 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-23F 功率:2W 最小直流电流增益:30 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:160 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:130 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:175 mV 最大基极-发射极饱和电压:1100 mV 长度:3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN19055DZTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:6 A 最大集电极-发射极电压:55 V 封装/外壳:SOT-89 功率:2.1W 最小直流电流增益:30 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:150 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:200 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.25 V 最大基极-发射极饱和电压:1.15 V 长度:4.6mm 宽度:2.6mm 封装/外壳:4.6 x 2.6 x 1.6mm 高度:1.6mm
    未分类 ZXTN19020DGTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:9 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-223 功率:9.4 W 最小直流电流增益:50 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:70 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:160 MHz 引脚数目:3 + Tab 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:250 mV 最大基极-发射极饱和电压:1150 mV 长度:6.7mm 宽度:3.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.65mm 高度:1.65mm
    未分类 ZXTN19020CFFTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:7 A 最大集电极-发射极电压:20 V 封装/外壳:SOT-23F 功率:2W 最小直流电流增益:45 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:65 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:150 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:175 mV 最大基极-发射极饱和电压:1050 mV 长度:3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN08400BFFTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:500 mA 最大集电极-发射极电压:400 V 封装/外壳:SOT-23F 功率:2W 最小直流电流增益:10 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:450 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:40 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:175 mV 最大基极-发射极饱和电压:950 mV 长度:3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN07045EFFTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:4 A 最大集电极-发射极电压:45 V 封装/外壳:SOT-23F 功率:2W 最小直流电流增益:70 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:190 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.28 V 最大基极-发射极饱和电压:1.1 V 长度:3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTN04120HFFTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大连续集电极电流:1 A 最大集电极-发射极电压:120 V 最大发射极-基极电压:10 V 封装/外壳:SOT-23F 引脚数目:3 晶体管配置:单 每片芯片元件数目:2 最小直流电流增益:1000 最大基极-发射极饱和电压:1.7 V 最大集电极-基极电压:140 V 最大集电极-发射极饱和电压:1.5 V 最大集电极-基极截止电流:0.01mA 最低工作温度:-55 °C 功率:2W 最高工作温度:+150 °C 长度:3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3 x 1.7 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXTD4591E6TA DiodesZetex FET类型:NPN + PNP 最大直流集电极电流:1 A 最大集电极-发射极电压:60 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1700 mW 最小直流电流增益:15 晶体管配置:隔离式 最大集电极-基极电压:80 V 最大发射极-基极电压:5 V 最大工作频率:150 MHz 引脚数目:6 每片芯片元件数目:2 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.6 V 最大基极-发射极饱和电压:1.2 V 长度:3mm 宽度:1.75mm 封装/外壳:1.3 x 3 x 1.75mm 高度:1.3mm
    未分类 ZXTC2061E6TA DiodesZetex FET类型:NPN + PNP 最大直流集电极电流:5 A 最大集电极-发射极电压:12 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.7W 最小直流电流增益:260 晶体管配置:隔离式 最大集电极-基极电压:-12 V, 20 V 最大发射极-基极电压:7 (NPN) V、-7 (PNP) V 最大工作频率:260 (NPN) MHz、310 (PNP) MHz 引脚数目:6 每片芯片元件数目:2 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.18 (NPN) V、-0.2 (PNP) V 最大基极-发射极饱和电压:1 (NPN) V、-1.05 (PNP) V 长度:3.1mm 宽度:1.8mm 封装/外壳:3.1 x 1.8 x 1.3mm 高度:1.3mm
    未分类 ZXTC2045E6TA DiodesZetex FET类型:NPN + PNP 最大直流集电极电流:1.5 A 最大集电极-发射极电压:30 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1700 mW 最小直流电流增益:180 晶体管配置:隔离式 最大集电极-基极电压:40 V 最大发射极-基极电压:7 V 引脚数目:6 每片芯片元件数目:2 宽度:1.8mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.375 V 最大基极-发射极饱和电压:1.2 V 长度:3.1mm 封装/外壳:1.3 x 3.1 x 1.8mm 高度:1.3mm
    未分类 ZXT849KTC DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:7 A 最大集电极-发射极电压:80 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 功率:4.2 W 最小直流电流增益:100 晶体管配置:单 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:100 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:280 mV 最大基极-发射极饱和电压:1.15 mV 长度:6.73mm 宽度:6.22mm 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.38mm 高度:2.38mm
    未分类 ZXT790AKTC DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:3 A 最大集电极-发射极电压:40 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 功率:3.9W 最小直流电流增益:80 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:50 V 最大发射极-基极电压:5 V 最大工作频率:100 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.45 V 最大基极-发射极饱和电压:1.15 V 长度:6.73mm 宽度:6.22mm 封装/外壳:2.39 x 6.73 x 6.22mm 高度:2.39mm
    未分类 ZXT690BKTC DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:3 A 最大集电极-发射极电压:45 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 功率:3.9W 最小直流电流增益:60 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:60 V 最大发射极-基极电压:5 V 最大工作频率:150 MHz 引脚数目:4 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:360 mV 最大基极-发射极饱和电压:1.2 mV 长度:6.7mm 宽度:6.2mm 封装/外壳:6.7 x 6.2 x 2.39mm 高度:2.39mm
    未分类 ZXT13N50DE6TA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:4 A 最大集电极-发射极电压:50 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.7W 最小直流电流增益:10 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:100 V 最大发射极-基极电压:7.5 V 最大工作频率:115 MHz 引脚数目:6 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.23 V 最大基极-发射极饱和电压:1 V 长度:3.1mm 宽度:1.8mm 封装/外壳:1.3 x 3.1 x 1.8mm 高度:1.3mm
    未分类 ZXT12N50DXTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:3 A 最大集电极-发射极电压:50 V 封装/外壳:MSOP 功率:1.25W 最小直流电流增益:50 晶体管配置:隔离式 最大集电极-基极电压:100 V 最大发射极-基极电压:7.5 V 最大工作频率:132 MHz 引脚数目:8 每片芯片元件数目:2 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:175 mV 最大基极-发射极饱和电压:0.95 V 长度:3.1mm 封装/外壳:3.1 x 3.1 x 0.95mm 高度:0.95mm
    未分类 ZXT11N15DFTA DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:3 A 最大集电极-发射极电压:15 V 封装/外壳:SOT-23 功率:0.806W 最小直流电流增益:150 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:40 V 最大发射极-基极电压:5 V 最大工作频率:145 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:0.15 V 最大基极-发射极饱和电压:1 V 长度:3.05mm 宽度:1.4mm 封装/外壳:3.05 x 1.4 x 1mm 高度:1mm
    未分类 ZXT10P40DE6TA DiodesZetex FET类型:P-Channel 最大直流集电极电流:2 A 最大集电极-发射极电压:40 V 封装/外壳:SOT-23 功率:1.7W 最小直流电流增益:12 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:-40 V 最大发射极-基极电压:-5 V 最大工作频率:190 MHz 引脚数目:6 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:3 x 1.75 x 1.3mm 高度:1.3mm 最大集电极-发射极饱和电压:-0.3 V 最大基极-发射极饱和电压:-1 V 最低工作温度:-55 °C 宽度:1.75mm 最高工作温度:+150 °C 长度:3mm
    未分类 ZXT1053AKTC DiodesZetex FET类型:NPN 最大直流集电极电流:5 A 最大集电极-发射极电压:75 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 功率:4W 最小直流电流增益:1200 晶体管配置:单 最大集电极-基极电压:150 V 最大发射极-基极电压:7 V 最大工作频率:140 MHz 引脚数目:3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 最大集电极-发射极饱和电压:460 mV 最大基极-发射极饱和电压:1.1 V 长度:6.7mm 宽度:6.2mm 封装/外壳:6.7 x 6.2 x 2.39mm 高度:2.39mm
    未分类 ZXSC410E6TA DiodesZetex 最小输入电压:1.65 V 最大输入电压:8 V 最小输出电流:300mA 转换器类型:升压控制器 输出数目:1 Ohms 输出类型:可调整的 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:6 最高工作温度:+85 °C 最低工作温度:-40 °C 开关调节器:是 最高开关频率:200 kHz 负荷调节:0.01 %/mA 线路调节:0.5 %/V 长度:3.1mm 高度:1.3mm 宽度:1.7mm 封装/外壳:3.1 x 1.7 x 1.3mm
    未分类 ZXSC400E6TA DiodesZetex 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:6 典型工作电源电压:2.5 V,3.3 V,5 V 封装/外壳:3.1 x 1.8 x 1.3mm 高度:1.3mm 长度:3.1mm 最高工作温度:+85 °C 最低工作温度:-40 °C 宽度:1.8mm
    未分类 ZXSC380FHTA DiodesZetex Board Level Components:Y
    未分类 ZXSC310E5TA DiodesZetex 封装/外壳:SOT-23
    未分类 ZXSC300E5TA DiodesZetex 段数:1 Ohms 最大电源电流:4 mA 封装/外壳:SOT-23 引脚数目:5 典型工作电源电压:1.8 V,2.5 V,3.3 V,5 V 封装/外壳:3.1 x 1.8 x 1.3mm 高度:1.3mm 长度:3.1mm 最高工作温度:+85 °C 最低工作温度:-40 °C 宽度:1.8mm
    未分类 ZXSBMR16PT8TA DiodesZetex 电桥类型:单相 峰值平均正向电流:400mA 峰值反向重复电压:40V 封装/外壳:SM 引脚数目:8 二极管技术:肖特基 配置:单 峰值非重复正向浪涌电流:13A 最高工作温度:+90 °C 峰值正向电压:750mV 峰值反向电流:370µA 长度:6.7mm 封装/外壳:6.7 x 3.7 x 1.7mm 高度:1.7mm 宽度:3.7mm
    未分类 ZXRE4041DFTA DiodesZetex 标称电压:1.225V 封装/外壳:SOT-23 参考类型:固定 初始精确度:±1.0 % 拓扑:并联 最大输出电流:12mA 最小输出电压:1.213 V 最大输出电压:1.237 V 引脚数目:3 负荷调节:10 mV 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+125 °C 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXRE4041CFTA DiodesZetex 标称电压:1.225V 封装/外壳:SOT-23 参考类型:固定 初始精确度:±0.5 % 拓扑:并联 最大输出电流:12mA 最小输出电压:1.219 V 最大输出电压:1.231 V 引脚数目:3 负荷调节:10 mV 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 最低工作温度:-40 °C 最高工作温度:+125 °C 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXRE330EV-A DiodesZetex 标称电压:3.3V 封装/外壳:SOT-23 参考类型:固定 初始精确度:±2.0 % 拓扑:并联 最大输出电流:5mA 引脚数目:3 封装/外壳:3 x 1.4 x 1mm 宽度:1.4mm 最高工作温度:+85 °C 长度:3mm 高度:1mm 最低工作温度:-40 °C
    未分类 ZXRE330ASA-7 DiodesZetex 标称电压:3.3V 封装/外壳:SOT-23 参考类型:固定 初始精确度:±0.5 % 拓扑:并联 最大输出电流:5mA 引脚数目:3 封装/外壳:3 x 1.4 x 1mm 宽度:1.4mm 最高工作温度:+85 °C 长度:3mm 高度:1mm 最低工作温度:-40 °C
    未分类 ZXRE125FFTA DiodesZetex 标称电压:1.22V 封装/外壳:SOT-23 参考类型:固定 初始精确度:±3 % 拓扑:并联 最大输出电流:20mA 最小输出电压:1.18 V 最大输出电压:1.26 V 引脚数目:3 负荷调节:20 mV 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+85°C 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXRE125EFTA DiodesZetex 标称电压:1.22V 封装/外壳:SOT-23 参考类型:固定 初始精确度:±0.5 % 拓扑:并联 最大输出电流:20mA 最小输出电压:1.196 V 最大输出电压:1.244 V 引脚数目:3 负荷调节:10 mV 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+85°C 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 高度:1.02mm
    未分类 ZXRE125DFTA DiodesZetex 标称电压:1.22V 封装/外壳:SOT-23 参考类型:固定 初始精确度:±1.0 % 拓扑:并联 最大输出电流:20mA 最小输出电压:1.21 V 最大输出电压:1.23 V 引脚数目:3 负荷调节:20 mV 封装/外壳:3.04 x 1.4 x 1.02mm 最低工作温度:-40°C 最高工作温度:+85°C 长度:3.04mm 宽度:1.4mm 高度:1.02mm

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