IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 18923485199
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 集成电路(芯片) | MX30LF1208AA-TI | MACRONIX | 系列:MX30LF 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:512Mb (64M x 8) 访问时间:30ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSOP |
| 集成电路(芯片) | MX29GL512FUXFI-11G | MACRONIX | 系列:MX29GL 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:512Mb (64M x 8) 访问时间:110ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LFBGA,CSP(11x13) |
| 集成电路(芯片) | MX29GL512FLT2I-11G | MACRONIX | 系列:MX29GL 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:512Mb (64M x 8) 访问时间:110ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:56-TSOP |
| 集成电路(芯片) | MX29GL320EBXEI-70G | MACRONIX | 系列:MX29GL 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:32Mb (4M x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LFBGA,CSP(6x8) |
| 集成电路(芯片) | MX29GL256FUXFI-11G | MACRONIX | 系列:MX29GL 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:256Mb (32M x 8) 访问时间:110ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LFBGA,CSP(11x13) |
| 集成电路(芯片) | MX29GL256ELT2I-90Q | MACRONIX | 系列:MX29GL 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:256Mb (32M x 8) 访问时间:90ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:56-TSOP |
| 集成电路(芯片) | MX25V4006EZNI-13G | MACRONIX | 系列:MX25xxx05/06 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:75MHz 写周期时间-字，页:50µs,1ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.35 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-WSON(6x5) |
| 集成电路(芯片) | MX25U8033EM1I-12G | MACRONIX | 系列:MXSMIO™ 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Mb (1M x 8) 时钟频率:80MHz 写周期时间-字，页:30µs,3ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.65 V ~ 2 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP |
| 集成电路(芯片) | MX25U4035ZNI-25G | MACRONIX | 系列:MX25xxx35/36 - MXSMIO™ 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:4Mb (512K x 8) 时钟频率:40MHz 写周期时间-字，页:300µs,7ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.65 V ~ 2 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-WSON(6x5) |
| 集成电路(芯片) | MX25U25635FZ4I-10G | MACRONIX | 系列:MX25xxx35/36 - MXSMIO™ 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:256Mb (32M x 8) 时钟频率:108MHz 写周期时间-字，页:30µs,3ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.65 V ~ 2 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-WSON(6x8) |
| 集成电路(芯片) | MX25R8035FM1IL0 | MACRONIX | 系列:MXSMIO™ 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Mb (1M x 8) 时钟频率:33MHz 写周期时间-字，页:100µs,10ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOP |
| 集成电路(芯片) | MX25R2035FZUIL0 | MACRONIX | 系列:MXSMIO™ 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:2Mb (256K x 8) 时钟频率:33MHz 写周期时间-字，页:100µs,10ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-USON(2x3) |
| 集成电路(芯片) | MX25L3255EXCI-10G | MACRONIX | 系列:MXSMIO™ 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:32Mb (4M x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间-字，页:300µs,5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-CSPBGA(6x8) |
| 集成电路(芯片) | MX25L25655FXCI-10G | MACRONIX | 系列:MXSMIO™ 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:256Mb (32M x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间-字，页:30µs,3ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-CSPBGA(6x8) |
| 集成电路(芯片) | STM32F437IGH6 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F4 核心处理器:ARM® Cortex®-M4 核心尺寸:32-位 速度:168MHz 连接性:CAN,EBI/EMI,以太网,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT I/O数:140 程序存储容量:1MB(1M x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:256K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 24x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:176-uFBGA(10x10) |
| 集成电路(芯片) | MAX5984AETI+T | MAXIM(美信) | FET类型:控制器(PSE) 通道数:1 Ohms Power-Max:40W 内部开关:是 辅助作用:无 标准:802.3at(PoE+),802.3af(PoE) 电压-电源:32 V ~ 60 V 电流-电源:2.5mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TQFN(5x5) |
| 集成电路(芯片) | MAX9723DEBE+T | MAXIM(美信) | 系列:DirectDrive® FET类型:AB 类 输出类型:耳机,2-通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:60mW x 2 @ 16 欧姆 电压-电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-WFBGA,CSPBGA |
| 集成电路(芯片) | MAX931CUA+T | MAXIM(美信) | FET类型:带电压基准 元件数:1 Ohms 输出类型:CMOS,TTL 电压-电源，单/双（±）:2.5 V ~ 11 V,±1.25 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:10mV @ 5V 电流-输出（典型值）:0.015mA @ 5V 电流-静态（最大值）:4µA CMRR，PSRR（典型值）:80dB CMRR,80dB PSRR 传播延迟（最大值）:12µs 滞后:50mV 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX1090BEEI+T | MAXIM(美信) | 位数:10 采样率（每秒）:400k 输入数:4,8 输入类型:个伪差分,单端 数据接口:并联 配置:MUX-S/H-ADC 无线电-S/H:ADC:1：1 A/D转换器数:1 Ohms 架构:SAR 参考类型:外部, 内部 电压-电源，模拟:5V 电压-电源，数字:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-QSOP |
| 集成电路(芯片) | 0EFL0102XPA | Littelfuse(美国力特) | |
| 集成电路(芯片) | 0EFL0102XP | Littelfuse(美国力特) | |
| 集成电路(芯片) | 0EFL0102X | Littelfuse(美国力特) | |
| 集成电路(芯片) | MAX5023TASA+T | MAXIM(美信) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:65V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:1.5V @ 150mA 电流-输出:150mA 电流-电源:140µA PSRR:54dB(100Hz) 控制特性:使能,保持,复位,看门狗 保护功能:超温,反极性,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | NCP4589DMX30TCG | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:5.25V 电压-输出（最小值/固定）:3V 压降（最大值）:0.35V @ 300mA 电流-输出:300mA PSRR:70dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-XDFN(1.2x1.2) 电流-电源:4µA |
| 集成电路(芯片) | MAX5969BETB+T | MAXIM(美信) | FET类型:控制器(PD) 通道数:1 Ohms 功率:25.5W 辅助作用:是 标准:802.3at(PoE+),802.3af(PoE) 电压-电源:40 V ~ 60 V 电流-电源:270µA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:10-TDFN-EP(3x3) |
| 集成电路(芯片) | MAX1653ESE+ | MAXIM(美信) | 输出类型:晶体管驱动器 输出配置:正 拓扑:降压 输出阶段:1 Ohms 电压-电源（Vcc/Vdd）:4.5 V ~ 30 V 频率-开关:150kHz,300kHz 占空比（最大）:0.98 时钟同步:是 控制特性:使能,软启动 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SO |
| 集成电路(芯片) | LM4040DIX3-5.0+T | MAXIM(美信) | 参考类型:分流器 输出类型:固定 电压-输出（最小值/固定）:5V 电流-输出:15mA 偏差:±1% 温度系数:±150ppm/°C 噪声-10Hz至10Hz:80µVrms 电流-阴极:85µA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SC-70-3 |
| 集成电路(芯片) | STM32L152RBT6A | ST(意法半导体) | 系列:STM32 L1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:32MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT I/O数:51 程序存储容量:128KB(128K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:32K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 20x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | LM4051CEM3-1.2+T | MAXIM(美信) | 参考类型:分流器 输出类型:固定 电压-输出（最小值/固定）:1.225V 电流-输出:15mA 偏差:±0.5% 温度系数:±50ppm/°C 噪声-10Hz至10Hz:20µVrms 电流-阴极:60µA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 集成电路(芯片) | TS884IQ4T | ST(意法半导体) | 元件数:4 输出类型:推挽式 电压-电源，单/双（±）:1.1 V ~ 5.5 V 电压-输入失调（最大值）:6mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:10pA 电流-静态（最大值）:500nA CMRR，PSRR（典型值）:78dB CMRR 传播延迟（最大值）:16µs 滞后:4.2mV 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-QFN |
| 集成电路(芯片) | MAX110BEWE+ | MAXIM(美信) | 位数:14 采样率（每秒）:50 输入数:2 输入类型:差分 数据接口:SPI 配置:MUX-ADC A/D转换器数:1 Ohms 架构:三角积分 参考类型:外部 电压-电源，数字:±5V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 集成电路(芯片) | SPX2941T5-L/TR | Exar-MaxLinear(艾科嘉) | 电压-输入（最大值）:16V 电压-输出（最小值/固定）:1.25V 电压-输出（最大值）:15.45V 电流-输出:1A 电流-电源:25mA 封装/外壳:TO-263-5 输出配置:正 输出类型:可调式 电压 - 输入（最大值）:16V 电压 - 输出（最小值/固定）:1.25V 电压 - 输出（最大值）:15.45V 压降（最大值）:0.55V @ 1A 电流 - 输出:1A 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,反极性,短路,瞬态电压 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA 封装/外壳:TO-263-5 |
| 集成电路(芯片) | STM32L151CBT6TR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 L1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:32MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:37 程序存储容量:128KB(128K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:16K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP |
| 集成电路(芯片) | SC657ULTRT | SEMTECH | 系列:SemPulse® FET类型:DC DC 稳压器 拓扑:开关电容器(充电泵) 内部开关:是 输出数:5 电压-供电（最低）:2.9V 电压- 供电（最高）:5.5V 电压-输出:2.5 V ~ 5.25 V 电流-输出/通道:25mA 频率:250kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-MLPQ-UT(2x2) |
| 集成电路(芯片) | LP2950ACZ-3.0G | ON(安森美) | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:3V 压降（最大值）:0.45V @ 100mA 电流-输出:100mA 电流-电源:120µA ~ 12mA 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 |
| 集成电路(芯片) | ICL7621DESA+ | MAXIM(美信) | 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:0.016 V/µs 增益带宽积:480kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:15mV 电流-电源:100µA 电压-电源，单/双（±）:2 V ~ 16 V,±1 V ~ 8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | AS1344-BTDT | AMS | 输出配置:正 拓扑:升压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:0.9V 电压-输入（最大值）:3.6V 电压-输出（最小值/固定）:5.5V 电压-输出（最大值）:42V 电流-输出:1.4A(开关) 频率-开关:1MHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-TDFN |
| 集成电路(芯片) | LV8413GP-TE-L-E | ON(安森美) | 电机类型-步进:双极性 电机类型-AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:并联 电流-输出:400mA 电压-负载:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-VCT(2.6x2.6) |
| 集成电路(芯片) | MAX4412EXK+T | MAXIM(美信) | 放大器类型:电压反馈 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:140 V/µs -3db带宽:500MHz 电流-输入偏置:1.6µA 电压-输入失调:400µV 电流-电源:1.7mA 电流-输出/通道:75mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SC-70-5 |
| 集成电路(芯片) | R1LV5256ESA-5SI#B0 | Renesas(瑞萨) | 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:28-TSOP 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-TSSOP(0.465",11.80mm 宽) |
| 集成电路(芯片) | MAX9617AXT+T | MAXIM(美信) | 放大器类型:零漂移 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.7 V/µs 增益带宽积:1.5MHz 电流-输入偏置:10pA 电压-输入失调:0.8µV 电流-电源:59µA 电流-输出/通道:150mA 电压-电源，单/双（±）:1.6 V ~ 5.5 V,±0.8 V ~ 2.75 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SC-70-6 |
| 集成电路(芯片) | MAX1444EHJ+T | MAXIM(美信) | 位数:10 采样率（每秒）:40M 输入类型:差分,单端 数据接口:并联 配置:S/H-ADC 无线电-S/H:ADC:1：1 A/D转换器数:1 Ohms 架构:管线 参考类型:外部, 内部 电压-电源，数字:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:32-TQFP(5x5) |
| 集成电路(芯片) | NCP1402SN50T1G | ON(安森美) | 输出配置:正 拓扑:升压 输出类型:固定 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:0.8V 电压-输出（最小值/固定）:5V 电流-输出:130mA(开关) 频率-开关:最高 200kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:5-TSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX510AEWE+ | MAXIM(美信) | 位数:8 数模转换器数:4 建立时间:6µs(标准) 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:SPI 参考类型:外部 电压-电源，模拟:±5V 电压-电源，数字:5V INL/DNL（LSB）:-,±1(最大) 架构:R-2R 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 集成电路(芯片) | S29GL256S10DHI010 | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:GL-S 写周期时间-字，页:60ns 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:64 球加强型 BGA(9x9) 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:256Mb (16M x 16) 写周期时间 - 字，页:60ns 访问时间:100ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LBGA 封装/外壳:64 球加强型 BGA(9x9) |
| 集成电路(芯片) | STM32L151RCT6ATR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 L1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:32MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:51 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:8K x 8 RAM容量:32K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.65 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 21x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | AS1104-T | AMS | FET类型:线性 内部开关:是 输出数:4 电压-供电（最低）:2.2V 电压- 供电（最高）:3.6V 电压-输出:0.15 V ~ 3.6 V 电流-输出/通道:40mA 调光:模拟,PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP |
| 集成电路(芯片) | M2GL025-VFG400I | Microsemi(美高森美) | 系列:IGLOO2 逻辑元件/单元数:27696 总RAM位数:1130496 I/O数:195 电压-电源:1.14 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:400-VFBGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | MX25L25735FMI-10G | MACRONIX | 系列:MX25xxx35/36 - MXSMIO™ 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:256Mb (32M x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间-字，页:30µs,1.5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOP |
| 集成电路(芯片) | NL27WZ14DTT1G | ON(安森美) | 系列:27WZ 逻辑类型:反相器 输入数:2 电压-电源:1.65 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）:1µA 电流-输出高，低:32mA,32mA 逻辑电平-低:0.4 V ~ 1.2 V 逻辑电平-高:1.8 V ~ 3.6 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟:4.9ns @ 5V,50pF 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 集成电路(芯片) | MAX11136ATI+ | MAXIM(美信) | 位数:12 采样率（每秒）:500k 输入数:4,8 输入类型:差分,个伪差分,单端 数据接口:SPI 配置:MUX-S/H-ADC 无线电-S/H:ADC:1：1 A/D转换器数:1 Ohms 架构:SAR 参考类型:外部 电压-电源，数字:2.35 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:28-TQFN(5x5) |
| 集成电路(芯片) | MAX6037AAUKADJ+T | MAXIM(美信) | 参考类型:系列 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:1.184V 电压-输出（最大值）:5V 电流-输出:5mA 偏差:±0.2% 温度系数:25ppm/°C 噪声-0.1Hz至10Hz:6µVp-p 噪声-10Hz至10Hz:15µVrms 电压-输入:2.5 V ~ 5.5 V 电流-电源:250µA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 集成电路(芯片) | TSV630IQ2T | ST(意法半导体) | 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.34 V/µs 增益带宽积:880kHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:3mV 电流-电源:60µA 电流-输出/通道:74mA 电压-电源，单/双（±）:1.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-DFN |
| 集成电路(芯片) | DRF1400 | Microsemi(美高森美) | 输出数:2 比率-输入:输出:1：1 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:8 V ~ 15 V 电流-输出（最大值）:30A 导通电阻（典型值）:240 毫欧 输入类型:反相,非反相 |
| 集成电路(芯片) | MAX5735AUTN+ | MAXIM(美信) | 位数:16 数模转换器数:32 建立时间:20µs(标准) 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:SPI,DSP 参考类型:外部 电压-电源，模拟:5V 电压-电源，数字:2.7 V ~ 5.25 V INL/DNL（LSB）:±4,±1(最大) 架构:管线 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:56-TQFN(8x8) |
| 集成电路(芯片) | MAX9002EUA+T | MAXIM(美信) | FET类型:放大器,比较器 封装/外壳:8-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX541AESA+ | MAXIM(美信) | 位数:16 数模转换器数:1 Ohms 建立时间:1µs(标准) 输出类型:Voltage - Unbuffered 差分输出:无 数据接口:SPI 参考类型:外部 电压-电源，数字:5V INL/DNL（LSB）:±0.5,±0.5 架构:R-2R 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | R5F104GHAFB#V0 | Renesas(瑞萨) | 系列:RL78/G14 I/O数:34 EEPROM容量:8K x 8 RAM容量:20K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.6 V ~ 5.5 V 封装/外壳:48-LFQFP(7x7) 核心处理器:RL78 核心尺寸:16-位 速度:32MHz 连接性:CSI,I²C,LIN,UART/USART 外设:DMA,LVD,POR,PWM,WDT I/O 数:34 程序存储容量:192KB(192K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:8K x 8 RAM 容量:20K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.6 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 10x8/10b,D/A 2x8b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP |
| 集成电路(芯片) | MAX1496EPI+ | MAXIM(美信) | FET类型:ADC 分辨率（位）:3.5 位 采样率（每秒）:50 电压源:单电源 电压-电源:2.7 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-PDIP |
| 集成电路(芯片) | MAX11202BEUB+ | MAXIM(美信) | 位数:24 采样率（每秒）:13.75 输入类型:差分 数据接口:SPI 配置:ADC A/D转换器数:1 Ohms 架构:三角积分 参考类型:外部 电压-电源，模拟:2.7 V ~ 3.6 V 电压-电源，数字:1.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:10-uMAX |
| 集成电路(芯片) | MAX6974ATL+ | MAXIM(美信) | FET类型:线性 拓扑:移位寄存器 内部开关:是 输出数:24 电压-供电（最低）:3V 电压- 供电（最高）:3.6V 电压-输出:7V 电流-输出/通道:30mA 频率:33MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:40-TQFN-EP(6x6) |
| 集成电路(芯片) | CLC2007ISO8X | Exar-MaxLinear(艾科嘉) | -3db带宽:85MHz 电流-输入偏置:1.4µA 电压-输入失调:500µV 电流-电源:2.6mA Current-Output/Channel:100mA 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 12.6 V,±1.35 V ~ 6.3 V 封装/外壳:8-SOIC 放大器类型:电压反馈 电路数:2 输出类型:满摆幅 压摆率:220 V/µs 增益带宽积:250MHz -3db 带宽:85MHz 电流 - 输入偏置:1.4µA 电压 - 输入失调:500µV 电流 - 电源:2.6mA 电流 - 输出/通道:100mA 电压 - 电源，单/双（±）:2.7 V ~ 12.6 V,±1.35 V ~ 6.3 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | R1LV0216BSB-7SI#B0 | Renesas(瑞萨) | 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TSOP II 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:2Mb (128K x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 集成电路(芯片) | LM211DG | ON(安森美) | 元件数:1 Ohms 输出类型:DTL,MOS,开路集电极,开路发射极,RTL,TTL 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 电压-输入失调（最大值）:3mV @ ±15V 电流-输入偏置（最大值）:0.1µA @ ±15V 电流-静态（最大值）:6mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | MC100EP33DTR2G | ON(安森美) | 系列:100EP 逻辑类型:除以 4 每元件位数:1 Ohms 复位:异步 计数速率:4GHz 触发器类型:正,负 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | MAX4461UESA+ | MAXIM(美信) | 放大器类型:仪表 电路数:1 Ohms 输出类型:满摆幅 压摆率:0.5 V/µs -3db带宽:2.5MHz 电流-输入偏置:1pA 电压-输入失调:50µV 电流-电源:800µA 电流-输出/通道:150mA 电压-电源，单/双（±）:2.85 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | CY7C136E-55NXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:52-PQFP(10x10) 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:16Kb (2K x 8) 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:52-BQFP 封装/外壳:52-PQFP(10x10) |
| 集成电路(芯片) | MAX11139ATI+T | MAXIM(美信) | 位数:10 采样率（每秒）:500k 输入数:4,8 输入类型:差分,个伪差分,单端 数据接口:SPI 配置:MUX-S/H-ADC 无线电-S/H:ADC:1：1 A/D转换器数:1 Ohms 架构:SAR 参考类型:外部 电压-电源，数字:2.35 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:28-TQFN(5x5) |
| 集成电路(芯片) | NCP1421DMR2G | ON(安森美) | 输出配置:正 拓扑:升压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:1V 电压-输出（最小值/固定）:1.5V 电压-输出（最大值）:5V 电流-输出:1.5A(开关) 频率-开关:1.2MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:Micro8™ |
| 集成电路(芯片) | STM32L151VCH6 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 L1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:32MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:83 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:8K x 8 RAM容量:32K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 25x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-uFBGA |
| 集成电路(芯片) | MAX505ACAG+ | MAXIM(美信) | 位数:8 数模转换器数:4 建立时间:6µs(标准) 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:并联 参考类型:外部 电压-电源，模拟:±5V 电压-电源，数字:5V INL/DNL（LSB）:-,±1(最大) 架构:R-2R 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:24-SSOP |
| 集成电路(芯片) | ISL80101AIRAJZ-T | INTERSIL | 输出配置:正 输出类型:可调式 电压-输入（最大值）:6V 电压-输出（最小值/固定）:0.8V 电压-输出（最大值）:5V 压降（最大值）:0.212V @ 1A 电流-输出:1A 电流-电源:5mA ~ 7mA PSRR:48dB(120Hz ~ 1kHz) 控制特性:限流,使能,电源良好,软启动 保护功能:超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 集成电路(芯片) | ISL95870AHRUZ-T | INTERSIL | 系列:Robust Ripple Regulator™(R3) 电压-输入:3.3 V ~ 25 V 输出数:1 Ohms 电压-输出:0.5 V ~ 5 V 工作温度:-10°C ~ 100°C 封装/外壳:20-UTQFN(3.2x1.8) |
| 集成电路(芯片) | PQ1LA503MSPQ | SHARP | 输出配置:正 输出类型:固定 电压-输入（最大值）:15V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.7V @ 300mA 电流-输出:300mA 电流-电源:800µA PSRR:55dB(400Hz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-89 |
| 集成电路(芯片) | MX7524KCSE+ | MAXIM(美信) | 位数:8 数模转换器数:1 Ohms 建立时间:500ns 输出类型:Current - Unbuffered 差分输出:是 数据接口:并联 参考类型:外部 电压-电源，数字:5 V ~ 15 V INL/DNL（LSB）:±0.5(最大),±1(最大) 架构:R-2R 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SO DAC 输出端数量:1 Ohms 分辨率:8 bit 电压参考:External 电源电压-最大:15 V 电源电压-最小:5 V 电源电流:1 mA 稳定时间:0.5 us 输出类型:Current Unbuffered 封装/外壳:Tube 封装/外壳:SOIC-16 接口类型:Parallel 功率:0.45W 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C |
| 集成电路(芯片) | MAX6150ESA+ | MAXIM(美信) | 参考类型:系列 输出类型:固定 电压-输出（最小值/固定）:5V 电流-输出:1mA 偏差:±1% 温度系数:±50ppm/°C 噪声-0.1Hz至10Hz:35µVp-p 噪声-10Hz至10Hz:900µVp-p 电压-输入:5.2 V ~ 12.6 V 电流-电源:145µA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | LM258QT | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:0.6 V/µs 增益带宽积:1.1MHz 电流-输入偏置:20nA 电压-输入失调:1mV 电流-电源:700µA Current-Output/Channel:60mA 电压-电源，单/双（±）:3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-DFN |
| 集成电路(芯片) | MAX17515ELI+ | MAXIM(美信) | 电压-输入:2.4 V ~ 5.5 V 输出数:1 Ohms 电压-输出:0.75 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-LGA(6.5x10) |
| 集成电路(芯片) | STMPS2171MTR | ST(意法半导体) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1A 导通电阻（典型值）:110 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SO |
| 集成电路(芯片) | MAX532ACWE+ | MAXIM(美信) | 位数:12 数模转换器数:2 建立时间:2.5µs(标准) 输出类型:Voltage - Buffered 差分输出:无 数据接口:SPI 参考类型:外部 电压-电源，模拟:±11.4 V ~ 16.5 V INL/DNL（LSB）:±0.5(最大),±1(最大) 架构:R-2R 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC |
| 集成电路(芯片) | LMV393IDT | ST(意法半导体) | 元件数:2 输出类型:开路漏极 电压-电源，单/双（±）:2.7 V ~ 5 V 电压-输入失调（最大值）:7mV @ 5V 电流-输入偏置（最大值）:0.25µA @ 5V 电流-输出（典型值）:93mA @ 5V 电流-静态（最大值）:120µA 传播延迟（最大值）:375ns 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SO |