IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 集成电路(芯片) | M95M01-RMN6P | ST(意法半导体) | 存储器类型:非易失 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:16MHz 写周期时间-字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO 速度:5MHz 接口:SPI 串行 |
| 集成电路(芯片) | MC33079DT | ST(意法半导体) | 电路数:4 压摆率:7 V/µs 增益带宽积:15MHz 电流-输入偏置:250nA 电压-输入失调:2.5mV 电流-电源:8mA Current-Output/Channel:37mA 电压-电源，单/双（±）:5 V ~ 30 V,±2.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:14-SO |
| 集成电路(芯片) | PB137ACV | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:40V 电压-输出（最小值/固定）:13.7V 压降（最大值）:2.6V @ 1A 电流-输出:1A 电流-电源:8mA PSRR:58dB(120Hz) 保护功能:超温 工作温度:0°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220AB 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:2.1V @ 1A 电压 - 输入:最高 40 V |
| 集成电路(芯片) | PM6764TR | ST(意法半导体) | 电压-输入:10.8 V ~ 13.2 V 电压-输出:0.52 V ~ 2.3 V 封装/外壳:28-VFQFPN(4x4) |
| 集成电路(芯片) | PM6680ATR | ST(意法半导体) | 电压-输入:6 V ~ 36 V 输出数:2 电压-输出:0.9 V ~ 5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:32-VFQFPN(5x5) |
| 集成电路(芯片) | POWERSTEP01TR | ST(意法半导体) | 电机类型-步进:双极性 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(4) 接口:SPI 步进分辨率:1 ~ 1/128 电流-输出:10A 电压-电源:3.3V,5V 电压-负载:85V(最大) 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:89-VFQFPN(11x14) |
| 集成电路(芯片) | LH28F800BJHE-PTTLT6 | SHARP | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:8Mb (1M x 8,512K x 16) 访问时间:90ns 存储器接口:并联 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TSOP |
| 集成电路(芯片) | SPC563M64L5COAR | ST(意法半导体) | 系列:SPC56 核心处理器:e200z3 核心尺寸:32-位 速度:80MHz 连接性:CAN,EBI/EMI,LIN,SCI,SPI,UART/USART 外设:DMA,POR,PWM,WDT I/O数:80 程序存储容量:1.5MB(1.5M x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:94K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.14 V ~ 1.32 V 数据转换器:A/D 32x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:144-LQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | SPV1040T | ST(意法半导体) | 故障保护:过流,超温 电压- 供电（最高）:5.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | ST1CC40PUR | ST(意法半导体) | FET类型:DC DC 稳压器 拓扑:降压 内部开关:是 输出数:1 Ohms 电压-供电（最低）:3V 电压- 供电（最高）:18V 电流-输出/通道:3A 频率:850kHz 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-VFQFPN(4x4) |
| 集成电路(芯片) | SRK2000DTR | ST(意法半导体) | 电压-电源:4.5 V ~ 32 V 电流-电源:35mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC |
| 集成电路(芯片) | FDG6324L | Fairchild(仙童) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压-负载:3 V ~ 20 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:600mA 导通电阻（典型值）:370 毫欧 输入类型:非反相 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6 |
| 集成电路(芯片) | FDG6342L | Fairchild(仙童) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压-负载:2.5 V ~ 8 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.5A 导通电阻（典型值）:125 毫欧 输入类型:非反相 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6 |
| 集成电路(芯片) | FSSD07UMX | Fairchild(仙童) | FET类型:多路复用器 封装/外壳:24-UMLP(3.4x2.5) |
| 集成电路(芯片) | ST7FLITE09Y0M6 | ST(意法半导体) | 核心处理器:ST7 核心尺寸:8-位 速度:8MHz 连接性:SPI 外设:LVD,POR,PWM,WDT I/O数:13 程序存储容量:1.5KB(1.5K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:128 x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2.4 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 5x8b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SO |
| 集成电路(芯片) | ST72F324BJ6T6TR | ST(意法半导体) | 核心处理器:ST7 核心尺寸:8-位 速度:8MHz 连接性:SCI,SPI 外设:LVD,POR,PWM,WDT I/O数:32 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:1K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:3.8 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 12x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STCS1PHR | ST(意法半导体) | FET类型:线性 内部开关:是 输出数:1 Ohms 电压-供电（最低）:4.5V 电压- 供电（最高）:40V 电流-输出/通道:1.5A 调光:PWM 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PowerSO-8 |
| 集成电路(芯片) | STBC02JR | ST(意法半导体) | 电池化学:锂离子/聚合物 电池数:1 Ohms 电流-充电:恒流 - 可编程 可编程特性:定时器 故障保护:过流,超温,过压,反向电流,短路 充电电流-最大值:450mA 电池组电压:4.2V 电压- 供电（最高）:5.4V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:覆晶 30 |
| 集成电路(芯片) | STBC08PMR | ST(意法半导体) | 电池化学:锂离子 电池数:1 Ohms 电流-充电:恒流 - 可编程 可编程特性:电流 充电电流-最大值:800mA 电池组电压:4.2V 电压- 供电（最高）:6.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-DFN |
| 集成电路(芯片) | SIP32101DB-T1-GE1 | Vishay(威世) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压-负载:2.3 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:5A 导通电阻（典型值）:6.5 毫欧 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:12-WCSP(1.3x1.7) |
| 集成电路(芯片) | L6376D013TR | ST(意法半导体) | 输出数:4 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:9.5 V ~ 35 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:500mA 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,UVLO 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:PowerSO-20 |
| 集成电路(芯片) | FSSD06BQX | Fairchild(仙童) | FET类型:多路复用器 封装/外壳:24-MLP(3.5x4.5) |
| 集成电路(芯片) | FAN501MPX | Fairchild(仙童) | 系列:WSaver® 输出隔离:隔离 内部开关:无 拓扑:反激 电压-启动:17.5V 电压-电源（Vcc/Vdd）:5.8 V ~ 30 V 占空比:68.5% 频率-开关:85kHz ~ 140kHz 故障保护:限流,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:10-MLP(4x3) |
| 集成电路(芯片) | ZXCT1032N8TA | Diodes(达尔（美台）) | 功能:电流监控器 感应方法:高端 电压-输入:9.5 V ~ 21 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOP |
| 集成电路(芯片) | AZ431LBKTR-G1 | Diodes(达尔（美台）) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:1.24V 电压-输出（最大值）:18V 电流-输出:100mA 偏差:±1% 温度系数:20ppm/℃ 电流-阴极:80µA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 集成电路(芯片) | DG449DS-T1-E3 | Vishay(威世) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:45 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:5 欧姆(最大) 电压- 电源，单（V+）:7 V ~ 36 V 电压-电源，双（V±）:±4.5 V ~ 20 V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）:146ns,104ns 电荷注入:5pC 沟道电容（CS(off），CD（off））:8pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）:1nA 串扰:-80dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-8 |
| 集成电路(芯片) | TL431AIYDT | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.495V 电压-输出（最大值）:36V 电流-输出:100mA 偏差:±1% 电流-阴极:700µA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 集成电路(芯片) | SIP32414DNP-T1-GE4 | Vishay(威世) | 输出数:2 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:1.1 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:2.4A 导通电阻（典型值）:62 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:反向电流 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-TDFN(2x2) |
| 集成电路(芯片) | STEF05PUR | ST(意法半导体) | 功能:电子保险丝 电压-输入:3.1 V ~ 10 V 电流-输出:3.6A 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:10-DFN(3x3) |
| 集成电路(芯片) | STLD40DPUR | ST(意法半导体) | FET类型:DC DC 稳压器 拓扑:升压 内部开关:是 输出数:1 Ohms 电压-供电（最低）:3V 电压- 供电（最高）:5.5V 电压-输出:37V 电流-输出/通道:20mA 调光:PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-QFN-EP(3x3) |
| 集成电路(芯片) | STHDLS101QTR | ST(意法半导体) | FET类型:电平移位器 封装/外壳:48-QFN-EP(7x7) |
| 集成电路(芯片) | PI3C3306UEX | PERICOM | FET类型:总线开关 电路:1 x 1：1 独立电路:2 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-MSOP |
| 集成电路(芯片) | PI3B3126LEX | PERICOM | FET类型:总线开关 电路:1 x 1：1 独立电路:4 电压源:单电源 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | PI3C34X245BEX | PERICOM | FET类型:总线开关 电路:8 x 1：1 独立电路:4 电压源:单电源 电压-电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:80-BQSOP |
| 集成电路(芯片) | PI5C32X245BEX | PERICOM | FET类型:总线开关 电路:8 x 1：1 独立电路:2 电压源:单电源 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:40-BQSOP |
| 集成电路(芯片) | PI5USB2546AZHEX | PERICOM | 开关类型:USB 开关 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压-负载:4.5 V ~ 5.5 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:2.5A 导通电阻（典型值）:73 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-TQFN |
| 集成电路(芯片) | PI5C3245QEX | PERICOM | FET类型:总线开关 电路:8 x 1：1 独立电路:1 Ohms 电压源:单电源 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-QSOP |
| 集成电路(芯片) | STM32F101RET6 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:36MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:51 程序存储容量:512KB(512K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:48K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F101T4U6A | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:36MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:26 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:4K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:36-VFQFPN(6x6) |
| 集成电路(芯片) | STM32F101VBT6TR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:36MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:80 程序存储容量:128KB(128K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:16K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | STM32F031G6U6TR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F0 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:DMA,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:23 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:4K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 13x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-uFQFPN(4x4) |
| 集成电路(芯片) | STM32F100CBT6BTR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:24MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:37 程序存储容量:128KB(128K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:8K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F101ZET6 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:36MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:112 程序存储容量:512KB(512K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:48K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:144-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F051K4U6TR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F0 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:HDMI-CEC,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:DMA,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:27 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:8K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 13x12b,D/A 1x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-uFQFPN |
| 集成电路(芯片) | STM32F103RBT6TR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:51 程序存储容量:128KB(128K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:20K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F103ZGT6TR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:112 程序存储容量:1MB(1M x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:96K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 21x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:144-LQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | STM32F100C6T6B | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:24MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:37 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:4K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F051R8T6TR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F0 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:HDMI-CEC,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:DMA,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:55 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:8K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 19x12b,D/A 1x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F072C8T6TR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F0 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:CAN,HDMI-CEC,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,I²S,POR,PWM,WDT I/O数:37 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:16K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.65 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F102C6T6A | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:48MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:37 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:6K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F101RCT6 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:36MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:51 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:32K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F100R4T6B | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:24MHz 连接性:I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART 外设:DMA,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:51 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:4K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F103R6T6A | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:51 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:10K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F103RGT7 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:51 程序存储容量:1MB(1M x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:96K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F103R8T7 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:51 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:20K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F103VGT6TR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:80 程序存储容量:1MB(1M x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:96K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b,D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | STM32F103VET7 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:80 程序存储容量:512KB(512K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:64K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | STM32F103ZEH7 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:112 程序存储容量:512KB(512K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:64K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 21x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:144-LFBGA(10x10) |
| 集成电路(芯片) | STM32F103VDH6TR | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:80 程序存储容量:384KB(384K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:64K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LFBGA |
| 集成电路(芯片) | STM32F103VFT6 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:80 程序存储容量:768KB(768K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:96K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | STM32F103ZDT6 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:112 程序存储容量:384KB(384K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:64K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 21x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:144-LQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | XS1-L6A-64-LQ64-C5 | XMOS | 系列:XS1 核心处理器:XCore 核心尺寸:32 位 6 核 速度:500MIPS 连接性:可配置 I/O数:36 程序存储容量:64KB(16K x 32) 程序存储器类型:SRAM 电压-电源（Vcc/Vdd）:0.95 V ~ 3.6 V 振荡器类型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F103ZET7 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:112 程序存储容量:512KB(512K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:64K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 21x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:144-LQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | STM32F103VCH6 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:80 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:48K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LFBGA(10x10) |
| 集成电路(芯片) | XU208-256-TQ64-C10 | XMOS | 系列:XU 核心处理器:XCore 核心尺寸:32 位 8 核 速度:1000MIPS 连接性:USB I/O数:33 程序存储器类型:ROMless RAM容量:256K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:0.95 V ~ 3.6 V 振荡器类型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:64-TQFP |
| 集成电路(芯片) | XS1-L8A-64-LQ64-C5 | XMOS | 系列:XS1 核心处理器:XCore 核心尺寸:32 位 8 核 速度:500MIPS 连接性:可配置 I/O数:36 程序存储容量:64KB(16K x 32) 程序存储器类型:SRAM 电压-电源（Vcc/Vdd）:0.95 V ~ 3.6 V 振荡器类型:外部 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP |
| 集成电路(芯片) | STM32F103VDT6 | ST(意法半导体) | 系列:STM32 F1 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:72MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB 外设:DMA,电机控制 PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT I/O数:80 程序存储容量:384KB(384K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:64K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP |
| 集成电路(芯片) | ALED6001TR | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 FET类型:DC DC 控制器 拓扑:SEPIC,降压,升压 内部开关:无 输出数:1 Ohms 电压-供电（最低）:5.5V 电压- 供电（最高）:36V 频率:1MHz 调光:模拟,PWM 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-HTSSOP |
| 集成电路(芯片) | 74LCX125YTTR | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100,74LCX 逻辑类型:缓冲器,非反向 元件数:4 每元件位数:1 Ohms 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-TSSOP |
| 集成电路(芯片) | 74LCX125YMTR | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100,74LCX 逻辑类型:缓冲器,非反向 元件数:4 每元件位数:1 Ohms 输出类型:推挽式 电流-输出高，低:24mA,24mA 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-SO |
| 集成电路(芯片) | E-L9823013TR | ST(意法半导体) | 输出数:8 比率-输入:输出:1：8 输出配置:低端 输出类型:N 通道 接口:SPI 电压-负载:4.5 V ~ 5.5 V 电流-输出（最大值）:500mA 导通电阻（典型值）:800 毫欧 故障保护:限流(固定),超温 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:24-SO |
| 集成电路(芯片) | L272D | ST(意法半导体) | 电路数:2 压摆率:1 V/µs 增益带宽积:350kHz 电流-输入偏置:300nA 电压-输入失调:15mV 电流-电源:8mA 电流-输出/通道:1A 电压-电源，单/双（±）:4 V ~ 28 V,±2 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-SO |
| 集成电路(芯片) | L4940V5 | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:17V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.9V @ 1.5A 电流-输出:1.5A 电流-电源:8mA ~ 50mA PSRR:68dB(120Hz) 保护功能:超温,反极性,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 集成电路(芯片) | L4962/A | ST(意法半导体) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:9V 电压-输入（最大值）:46V 电压-输出（最小值/固定）:5.1V 电压-输出（最大值）:40V 电流-输出:1.5A 频率-开关:100kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-PowerDIP |
| 集成电路(芯片) | HVLED807PFTR | ST(意法半导体) | FET类型:交直流离线开关 拓扑:反激 内部开关:是 输出数:1 Ohms 电压-供电（最低）:11.5V 电压- 供电（最高）:23V 频率:166kHz 调光:PWM 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-SO |
| 集成电路(芯片) | L5972D013TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:4.4V 电压-输入（最大值）:36V 电压-输出（最小值/固定）:1.235V 电压-输出（最大值）:35V 电流-输出:2A 频率-开关:250kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO |
| 集成电路(芯片) | IPS161HTR | ST(意法半导体) | 输出数:1 Ohms 比率-输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压-负载:8 V ~ 60 V 电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流-输出（最大值）:1.7A 导通电阻（典型值）:60 毫欧 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) |
| 集成电路(芯片) | KF50BD-TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:20V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.7V @ 500mA 电流-输出:500mA 电流-电源:1mA ~ 12mA PSRR:76dB ~ 60dB(120Hz ~ 10kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:0.4V @ 500mA 电压 - 输入:最高 20V |
| 集成电路(芯片) | HCF4013YM013TR | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100,4000 功能:设置(预设)和复位 FET类型:D 型 输出类型:差分 元件数:2 每元件位数:1 Ohms 时钟频率:24MHz 不同V，最大CL时的最大传播延迟:90ns @ 15V,50pF 触发器类型:正边沿 电流-输出高，低:6.8mA,6.8mA 电压-电源:3 V ~ 20 V 电流-静态:20µA 输入电容:5pF 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 集成电路(芯片) | L4931CZ50-AP | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:20V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.8V @ 250mA 电流-输出:250mA 电流-静态:1mA 电流-电源（最大值）:6mA PSRR:70dB ~ 55dB(120Hz ~ 10kHz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-92-3 电流-电源:1mA ~ 6mA 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:0.4V @ 250mA 电压 - 输入:最高 20V |
| 集成电路(芯片) | L4940D2T5-TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:17V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.9V @ 1.5A 电流-输出:1.5A 电流-电源:8mA ~ 50mA PSRR:68dB(120Hz) 保护功能:超温,反极性,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:D2PAK 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:0.5V @ 1.5A 电压 - 输入:最高 17V |
| 集成电路(芯片) | L4973V3.3 | ST(意法半导体) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调(固定) 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:8V 电压-输入（最大值）:55V 电压-输出（最小值/固定）:0.5V(3.3V) 电压-输出（最大值）:50V 电流-输出:3.5A 频率-开关:100kHz ~ 300kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:18-DIP |
| 集成电路(芯片) | L298N | ST(意法半导体) | 输出配置:半桥(4) 接口:逻辑 负载类型:电感 电流-峰值输出:2A 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 电压-负载:4.8 V ~ 46 V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 故障保护:限流,超温 封装/外壳:15-Multiwatt |
| 集成电路(芯片) | L4931ABD33-TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:20V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:0.8V @ 250mA 电流-输出:250mA 电流-静态:1mA 电流-电源（最大值）:6mA PSRR:73dB ~ 55dB(120Hz ~ 10kHz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO 电流-电源:1mA ~ 6mA 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:0.4V @ 250mA 电压 - 输入:最高 20V |
| 集成电路(芯片) | L4981BD013TR | ST(意法半导体) | 模式:平均电流 频率-开关:100kHz 电流-启动:100µA 电压-电源:14.5 V ~ 19.5V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:20-SO |
| 集成电路(芯片) | L4995AJTR | ST(意法半导体) | 系列:汽车级,AEC-Q100 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:31V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.5V @ 400mA 电流-输出:500mA 电流-电源:160µA ~ 2.7mA PSRR:55dB(100Hz) 控制特性:使能,复位 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PowerSSO-12 |
| 集成电路(芯片) | L4931ABD120TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:20V 电压-输出（最小值/固定）:12V 压降（最大值）:0.8V @ 250mA 电流-输出:250mA 电流-电源:1.6mA ~ 7mA PSRR:64dB ~ 55dB(120Hz ~ 10kHz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:0.4V @ 250mA 电压 - 输入:最高 20V |
| 集成电路(芯片) | L4971D013TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:8V 电压-输入（最大值）:55V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 电压-输出（最大值）:50V 电流-输出:1.5A 频率-开关:100kHz ~ 300kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-SO W |
| 集成电路(芯片) | L4973V5.1 | ST(意法半导体) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调(固定) 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:8V 电压-输入（最大值）:55V 电压-输出（最小值/固定）:5.1V(5.1V) 电压-输出（最大值）:50V 电流-输出:3.5A 频率-开关:100kHz ~ 300kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:18-DIP |
| 集成电路(芯片) | L6566BHTR | ST(意法半导体) | 输出隔离:隔离 内部开关:无 拓扑:反激 电压-启动:14V 电压-电源（Vcc/Vdd）:8 V ~ 23 V 占空比:75% 频率-开关:10kHz ~ 300kHz 故障保护:限流,过载 控制特性:软启动 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-SO |
| 集成电路(芯片) | L6234PD013TR | ST(意法半导体) | 电机类型-AC，DC:无刷 DC(BLDC) 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(3) 接口:并联 电流-输出:4A 电压-负载:7 V ~ 52 V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:PowerSO-20 |
| 集成电路(芯片) | L6229PDTR | ST(意法半导体) | 电机类型-AC，DC:无刷 DC(BLDC) 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(3) 接口:并联 电流-输出:1.4A 电压-负载:12 V ~ 52 V 工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:PowerSO-36 |
| 集成电路(芯片) | L6384ED013TR | ST(意法半导体) | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压-电源:14.6 V ~ 16.6 V 逻辑电压 -VIL，VIH:1.5V,3.6V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:400mA,650mA 输入类型:反相 高压侧电压-最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:50ns,30ns 工作温度:-45°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:8-SO |
| 集成电路(芯片) | L6928D013TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:2V 电压-输出（最小值/固定）:0.6V 电压-输出（最大值）:5.5V 电流-输出:800mA 频率-开关:1.4MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-MSOP |
| 集成电路(芯片) | L6506D013TR | ST(意法半导体) | 电机类型-步进:双极性 功能:控制器 - 电流管理 输出配置:前置驱动器 - 半桥(4) 接口:并联 步进分辨率:1,1/2 电压-电源:4.5 V ~ 7 V 工作温度:0°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:20-SO |
| 集成电路(芯片) | L6699D | ST(意法半导体) | 输出隔离:隔离 内部开关:无 拓扑:半桥 电压-启动:10.7V 电压-电源（Vcc/Vdd）:8.85 V ~ 16 V 占空比:50% 频率-开关:60kHz ~ 235kHz 故障保护:限流 控制特性:软启动 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-SO |
| 集成电路(芯片) | L7805ABV-DG | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1.5A 电流-电源:6mA PSRR:68dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220 |
| 集成电路(芯片) | L78L09ACUTR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:9V 电流-输出:100mA 电流-电源:5.5mA ~ 6mA PSRR:44dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-89-3 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:1.7V @ 40mA 电压 - 输入:最高 30V |
| 集成电路(芯片) | L7805ABP | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1.5A 电流-电源:6mA PSRR:68dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220FP |
| 集成电路(芯片) | L6985F | ST(意法半导体) | 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:4V 电压-输出（最小值/固定）:0.85V 电压-输出（最大值）:38V 电流-输出:500mA 频率-开关:250kHz ~ 2MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-TSSOP |