参数	值
产品	未分类
型号编码	ZXMD65P02N8TA
说明	未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SO
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	500
最小包	500
现货	1169 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	2 个 P 沟道(双)
FET类型	标准
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	4A
Rds On(Max)@Id,Vgs	50 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	700mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	960pF @ 15V
功率	1.75W
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	8-SO