参数	值
产品	未分类
型号编码	ZXM66P02N8TC
说明	未分类   8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5169 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	6.4A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	43.3nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2068pF @ 15V
功率	1.56W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	25 毫欧 @ 3.2A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)