参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	TPN22006NH,LQn:
说明	通用MOSFET   8-TSONAdvance(3.3x3.3)
起订量	3
最小包	3
现货	400 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N-Channel
Pd-功率耗散(Max)	700mW(Ta),18W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs	22 毫欧 @ 4.5A,10V
Vgs(th)	4V @ 100uA
Vgs(最大值)	±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	710 pF @ 30 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	12 nC @ 10 V
产品状态	在售
封装/外壳	8-TSON Advance(3.3x3.3)
工作温度	150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds	60 V
连续漏极电流Id	9A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	6.5V,10V