参数 | 值 |
---|---|
产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | TK160F10N1L,LQ(O |
说明 | 功率MOSFET TO-263 |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 444 [库存更新时间:2025-04-11] |
封装/外壳 | TO-263 |
FET类型 | N-Channel |
Pd-功率耗散(Max) | 375W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.4mΩ@80A,10V |
工作温度 | -55°C~175°C |
栅极电压Vgs | ±20V |
漏源极电压Vds | 100V |
连续漏极电流Id | 160A |
参数 | 值 |
---|---|
产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | TK160F10N1L,LQ(O |
说明 | 功率MOSFET TO-263 |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 444 [库存更新时间:2025-04-11] |
封装/外壳 | TO-263 |
FET类型 | N-Channel |
Pd-功率耗散(Max) | 375W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.4mΩ@80A,10V |
工作温度 | -55°C~175°C |
栅极电压Vgs | ±20V |
漏源极电压Vds | 100V |
连续漏极电流Id | 160A |