参数	值
产品	未分类
型号编码	TK16N60W,S1VF(S
说明	未分类   TO-247 15.94x5.02x20.95mm 15.94mm
起订量	3
最小包	3
现货	448 [库存更新时间：2025-04-11]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	15.8 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 m0hms
栅极电压Vgs	3.7V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-247
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	130W
封装/外壳	15.94 x 5.02 x 20.95mm
系列	TK
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si
最高工作温度	+150 °C
漏源极电压Vds	1350 pF @ 300 V
典型关断延迟时间	100 ns
典型接通延迟时间	50 ns
宽度	5.02mm
高度	20.95mm
长度	15.94mm