参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	TK100E06N1,S1Xn
说明	通用MOSFET   TO-220
起订量	50
最小包	50
现货	495 [库存更新时间：2025-04-11]
FET类型	N-Channel
Pd-功率耗散(Max)	255W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs	2.3 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(th)	4V @ 1mA
Vgs(最大值)	±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	10500 pF @ 30 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	140 nC @ 10 V
产品状态	在售
封装/外壳	TO-220
工作温度	150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds	60 V
连续漏极电流Id	100A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	10V