参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SUD35N10-26P-GE3
说明	通用MOSFET   TO-252-3,Dpak,SC-63
起订量	2
最小包	2
现货	399 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	TrenchFET®
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	35A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	7V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	47nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2000pF @ 12V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	8.3W(Ta),83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	26m Ohms@12A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,Dpak,SC-63